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实验四 霍尔效应 一.实验目的 认识霍尔效应，理解产生霍尔效应的机理。 测绘霍尔元件的、曲线，了解霍尔电势差与霍尔元件工作电流、磁感应强度B及励磁电流之间的关系。 学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统。 二.实验原理 1．霍尔效应法测量磁场原理 一块长方形金属薄片或者半导体薄片，若在某方向上通入电流IS,在其垂直方向上加一磁场B，则在垂直于电流和磁场的方向上将产生电位差VH，这个现象称为霍尔效应。VH称为霍尔电压。它们之间有如下关系： 上式中，RH称为霍尔系数，d是薄片的厚度。 霍尔电压的产生可以用洛仑兹力来解释。如图4-1所示，半导体块的厚度为d、宽度为b，各种物理量的方向如图上所示，则自由电子以平均速度v沿x轴负方向作定向运动，所受洛仑兹力为 在此力的作用下自由电子向板的侧端面聚集，同时在另一个侧端面上出现同样的正电荷。这样就形成了一个沿y方向的横向电场，使自由电子同时也受到电场力FE的作用，即： 最后在平衡状态下，有：FB=FE，即 evB=eVH/b，化简得到：VH=vBb （1） 设块体内的载流子浓度n，则电流IS与载流子平均速v的关系为： （2） 将上式代入（1）得： 或者 （3） 其中，KH为霍尔元件的灵敏度。单位是V/(A·T)。 霍尔电压的