对霍尔效应及霍尔元件及其应用的研究.docVIP

对霍尔效应及其应用的研究 班级：南医1班 学号：0904080113 姓名：王沁雪 摘要：金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。　所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。evB=eEH 这时横向电场EH达到稳定，导体左右两侧出现稳定的霍尔电势差，设导体板左侧电势为V1，右侧电势为V2 ，则有 VH= V1- V2=-EHb=-Bbv=-IB/ned=RHIB/d 式中 RH=-I/ne 称为霍尔系数。如果载流子是正电荷q，在电流和磁场方向相同的情况下，正电荷在左侧，负电荷在右侧累积，霍尔系数为 RH=I/nq 二、霍尔效应的发展 在霍尔效应发现约100年后，德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing, 1943-)等在研究极低温度和强磁场中的时发现了（运动电荷受到了磁场的作用力，从而运动方向发生偏转，这个力通常叫做为荷兰物理学家H.A.洛伦兹首先提出，故得名。），这是