深槽刻蚀研究与在IC隔离中的应用.pdfVIP

深槽刻蚀研究及在IC隔离中的应用 齐臣杰岳瑞峰刘理天 (清华大学微电子所北京100084) u 摘要：本文报道了用ICP技术刻蚀出窄深槽结构。槽宽1～2．5¨m，槽深7～25m，刻蚀速率2 um／min，陡直度89度。该结构可以应用到MEMS和IC的隔离中。 1引言 反应离子刻蚀(RIE)是微电子加一f‘中一步重要的工艺。它把微波能量转换成参与反廊的离子动 能，并输送到待刻蚀的材料表面。轰击的离子与衬底材料发生物理和化学反应。生成挥发气体被抽 走。虽然它刻蚀出的边界盘，，与湿法比较无横向钻蚀。但是，刻蚀高深宽比的图形还是困难。这是 闪为RIE不是一种纯物理刻蚀，它还有化学反应参予。在纵向刻蚀的同时，在横向也发生刻蚀。使 system… ● MEMS)非常需要刻蚀出高深宽比(hjghaspectratio—HAR)的图形。在垂直硅片表面成陡直的边界。 对RIE而言，虽然可以改变li艺条件达到较高的深宽比，然而，它也带来负面效应，如刻蚀速率降 低．选择比不够高。这推动了干法刻蚀的研究，产生了感应离子刻蚀技术(inductivecoupledplasma— icP)。ICP具有深宽比高，角度接近90度，刻饰速率快，达2}tm／min以上，选择比高。 ● ICP也可以应用在lc中，特别用在隔离工艺。移动通信是一个巨大的市场。目前，便携式移动 通信设备还是采州多模块封装，其前端的微波接受部分采用砷化镓集成电路，它的成本高。现在人 ⅡJ正在研究辟j硅Ic取代GaAs IC。由r硅微波双极器件在很多方面优于硅MOS器件，因此，硅 BiCMOS Ic成为移动通信Ic的重点研究方向。常规双极晶体管集成电路中的PN结隔离，由1：寄生 电辑影响太大，已不能满足要求。可以设想，采用硅一硅键合形成SOl材料，侧壁采崩高深宽比的 ICP刻饰技术，氧化填充深槽。晶体管全部采用介质隔离。这样制作的器件的寄生电容小．传输线 损耗少，微波性能好。本文就是基于以上的考虑，研究具有高深宽比的窄深槽的刻蚀工艺。用在 BiCMOS O-- 方面，由于淀积Si02，反刻的办法实现硅片平整较为困难．可采剧热氧化办法，这要求槽宽在I 2．51ml之间。所以晟终刻蚀参数要求是：槽深3～15l_mt,槽宽1．0--2．3F．m。 2样品制备-和工艺条件 公司(Surface Limited)研制的。 TechnologySystems ICP设备采川两个独立的射频功率源，电感射频源1000瓦．围绕一[作腔，产生等离子体。电 窬射频源300瓦，加在特刻蚀的硅片上。ICP采用刻蚀／保护的办法，达到陡直。首先通sF6气体进 -209— 行刻蚀，时间数秒：然后通C。F8气体淀积一层薄膜进行钝化；在卜一轮刻蚀周期，槽底部的薄膜由 丁离子轰击而被除去，删0啦留F保护薄膜，使侧壁不再被刻蚀。两种气体交叠时间人约1秒，也可 以设置更长的时间。在我们的f艺中．一个周期内亥0蚀时间为9秒，钝化时间为7秒，交叠时间】 秒。总刻蚀时间为10分钟。各个。1：艺条件如F：