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区熔再结晶法制备多晶硅薄膜的研究 许颖 罗欣莲励旭东 王文静 于元 李仲明 (北京市太阳能研究所100083) 摘要：本文概述了区熔再结晶(ZMR)方法的应_【}1，利_E}j该方法获得了取向～致的晶体硅薄膜。为 薄膜电池的制备打下了良好的基础。 关键词：薄膜太阳电池、区熔再结晶L o引言 @ 近年来，多晶硅薄膜太阳电池领域的发展十分迅速。利用化学汽相沉积(CVD)方法，在高掺杂 非活性单品硅衬底上的薄膜电池效率已突破17％F“，甚至可与单晶电池相匹敌。然而．非硅村底上的 薄膜电池效率却根难超过10％。究其原因，主要是非硅衬底上的多晶硅薄膜晶粒小，晶向杂乱所引起。 因而，增大薄膜晶粒成为关键问题。日本三菱公司提出区熔再结晶方法㈦，成功解决了这一问题，并 在薄膜太阳电池领域得以广泛的应用。北京市太阳能所研制了ZMR设备，并刚该设备制各了适于光伏 应用的晶体硅薄膜。 1实验 1．1 ZMR系统 图l为酬R系统结构示意幽。样品加热装置为11支1．5KW卤钨灯，一[作时样品室由N。保护。 图1 ZMR系统结构示意图 酬R系统工作过程太致如下：样片的下表面经卤钨灯产生的光辐照加热，温度可迅速上升至i000 —1200nC．样片的上表面由一只位于聚光腔内的卤钨灯灯光聚焦成的线状光束加热。增加光速强度． 可在样品表面产生一线状熔区。样片放在可调谜的水平石英，使样片在垂直于熔区的方向匀速移动． 形成区熔再结晶的过程。熔区中心的图象经光学系统成像在CCD摄像机上，在监视器上显示。 1．2样品制备 衬底为抛光的(IOO)向重掺硼非活性单晶硅片，在其上用热氧化法制各一层sio，薄膜，再在si0． 电子柬蒸发法在其上制备一层2--10 Si。H．薄膜。SiO。／Si。N；薄膜的目的在于防止区熔过程中有起球、氧化或氮化问题发生，并使晶化后晶 向为(100)向。 1．3 ZMR工艺 基本工艺已有报道㈨a文献显示，区熔敛果直接与多品硅层的厚度及拉速相关[4]。其趋势为： um) 多晶硅层越薄、拉速越慢，则缺陷密度越少。因此，实验时选择了0．2mm／min的拉速及较薄(7 的多晶硅层． 1．4结果与讨论 X射线衍射(XRD)显示，经z搬后．多晶硅层具有了单一的(100)取向(图2)。 童oc$uI j兰呲㈨m撤撇m。 图2 ZMR后多晶硅层的x射线衍射谱 再用RTCVD制备的薄膜。比较两者可以发现zMR]‘艺明显的拉氏了晶粒，使其长度可达数百微米。 ZMR晶化籽晶层上制备的薄膜 图3(a)直接用RTcVD沉积的多品硅薄膜圈3(b)芏E 这些结果显示，经ZllR后，薄膜晶粒明显增加，取向一致，薄膜质量显著改善。 132 阳电嚣擀篡：获得了取向嘲，大晶粒的晶体硅薄膜，糊}硅衬底上制备效率较高的薄膜太 0f Digest the Intemati。nal …………1’ [1]pJ9’2％3。”。e‘a1．Technical PvsEc—ll，Japan，1999．Jdpan’l了甘9·