Ti-48Al-1Si合金热处理后组织地研究.pdfVIP

Microsc．‰c 电子显微学报JChinEleetr 338 20(4、：338—33920(31年 Ti一48A1—1Si合金热处理后组织的研究 张绍远。，赵兴国一，李晋敏。，梁 伟‘ (太原理工大学*材料科学与工程学院，**测试中心，太原030024) 近几年来，对新一代高温耐热结构材料TiAI合金的研究已取得了很大的进展+但其室温脆 性、高温强度、蠕变极限等还有待进一步提高。‘2。本文试图通过对Ti一48AI一1Si在不同温度下 的热处理，探讨合金的层片组织变化规律、硅化物的析出过程和分布。 1．实验方法 干，再用耐高温材料浸埋并包套保护后，在SSX一8—1600高温电阻箱式炉中分别加热到1400％ 温20耐n)出炉空冷，取样磨制并用双喷电解法制成透射电镜试样，在H一800透射电子显微镜中 观察(电压为200kV)。 2．实验结果 本实验所用铸态层片组织中几乎没有Ti，sI|相硅化物析出，1400％加热保温15min空冷后的 示)，在1260℃、130012加热保温后的组织中，其层片间距明显粗化并有硅化物析出．硅化物呈短 捧状沿层片界面分布且在1260。C时其析出量有所增加(如图2，图3所示)，根据硅化物附近选区 衍射谱(图4所示)可知：硅化物与基悻7相存在一定的取向关系： (T订)，∥(0002)n札，101]，∥[14503n札。 本实验条件下，加热保温时间超过15rain后，继续保温对硅化物的析出量、分布没有大的变 化，循环加热处理结果也是如此。 3．分析讨论 Ti一48A1—1 sl合金在1400％时为单相a区，保温15rain时，Ⅱ晶粒必然要长大，在冷却过程 中，无序六方结构的a相要沿一定晶面和晶向转变为71ct：或W7层片组织，一个a晶粒只形成一 个方向的层片团，层片团的大小主要取决于a晶粒的大小，层片间距主要取决于台金从n单相区 冷却到室温时的冷却速度。通常冷却速度越大，形核率越高，y，％层片间距越小，(但是冷却速度 超过一定极限时会发生块状转变而得到块状组织)”1。由于n晶粒的长大，1400％处理的试样的 层片团比铸锭的大；而1400C处理的试样尺寸比铸锭的小，故其冷却速度比铸锭的快，所以，其 室温层片间距比铸锭的细小；由于加热保温，硅在n相中的溶解度大，使其固溶于a相中，快冷时 来不及从中析出硅化物。 在1260℃加热保温时，台金处于7+n双相区，由于a量较少，铸态层片不会因重结晶而细化 7，a，层片组织，反而因保温时间的延长而长大y层片台并粗化”。此时，硅在7相和a相的溶解 度比1400。C时的小，随保温时间的延长，硅和钛原子发生扩散反应，硅化物从固溶体中析出。硅 右形成Ti。si等，其Ti。s‘是热力学上最稳定的化合物．是扩散型反应物”1。 电子显微学报JChinEleclrMicrosc．Soc 20(4)：338～3392001年 339 1300屯 12印℃处理后的组织．其中有硅化物的析出(Bar=02pm)。图3 的析出(Bar=0．2pro)。图2 处理后的组鼙1．其中有硅化物的析出(Bar=0 (a)为图3中硅化物相应选区的衍射谱 3／tm)。图4 {IO a)的衍射谱示意图。 LO]，，，．I-jm，，s，])；(b)为f 由于1260。C时7相中的溶解度小于其在1300％时的溶解度，所以1260。C热处理时析出的硅 化物比1300℃时的有所增多。 参考文献 YWGammaTitaniumAluminides：Theirslalusandfuture．JOM [1]Kim JULY．1995．