一种3um+P阱CMOS兼容纵向PNP晶体管β地研究.pdfVIP

一种3um 谭开洲司琴李儒章严顺炳 (信息产业部电子24所军用模拟集成电路重点实验室 重庆南坪花园路14号400060) 摘要： 在3um P阱CMOS兼容纵向PNP管工艺研制过程中，在众多工艺参数中发现纵向 PNP晶体管电流放大系数D相关性最强的是作为纵向PNP管集电极的P阱注入剂量， 在允许的P阱注入剂量变化范围中与纵向PNP晶体管电流放大系数有正相关的特点． 关键词：纵向PNP晶体管P阱CMOS工艺电流放大系数 在一些CMOS电路设计中，引入纵向PNP晶体管可以给电路带来设计上的灵活性以及电 路某些性能的提高，基于这样的需求，进行了以3umP阱CMOS工艺为基础兼容纵向PNP的 集成电路工艺的开发，以下介绍我们在兼容纵向PNP晶体管CMOS工艺的一些关于纵向PNP 晶体管电流放大系数的工作。 l集成工艺结构 。 P阱CMOS兼容纵向PNP晶体管集成电路工艺剖面示意图。此工艺采 如图l所示为3um 用了LOCOS局部氧化隔离方式。 NMOS PMOS 纵向PNP 图1 CMOS兼容纵向PNP工艺结构剖面图 主要工艺流程为： 投影光刻标记制备一场氧化—P阱光刻一预氧化—P阱硼注入—P阱杂质推进一纵向PNP Si3N4一有源区及接触孔光刻一 晶体管基区光刻一磷注入一磷注入推进—-PAD氧化—LPCvD 场区光刻一场区硼注入一高压场氧化一去Si3N4一MOS管阈值电压调整注入一栅氧化一 LPCVD si02一快速热退火一接触孔光刻一溅射AlSi一光刻一合金一钝化一光刻 132 N 2工艺参数与纵向PP晶体管电流放大系数 。(1)理论定性分析 理论上双极晶体管的直流电流放大系数主要与基区宽度wb、基区少子寿命tB、基区少子 渡越时间Tb、表面复合速度S、发射结注入效率Y以及基区杂质浓度分布等有关，对于平面 IC集成工艺双极晶体管，双极晶体管的基区主要通过扩散来形成，调整参数受到不同器件参 数之间的折中限制，调整十分受限，并且受表面状况的影响较大，其中基区宽度Wb、基区少子 渡越时间Tb，、表面复合速度S的减小对电流放大系数增大有利，基区少子寿命T B、发射结 注入效率Y的增大对电流放大系数有利。基区宽度wb由基区杂质和发射区杂质扩散的结深 之差决定，基区少子渡越时间h主要与 基区杂质浓度分布，基区宽度有关，基区 、 杂质浓度分布由发射结向集电结是逐渐 降低的这一类型杂质分布将产生加速电 “憎 场，可以减少“，基区宽度减小Tb也越 ¨b” 小，基区少子寿命TB与基区浓度、工艺 叩g．，蛙鞋 处理过程、表面状况有关，一般基区浓度 高会降低tB， 发射结注入效率Y一般 可以认为是基区方块电阻与发射极方块 电阻之比决定，具体一点是发射区与基区 吕号 高五 ；最葛苫；g蛊冀器鬲；昌