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H1-07 Tm3+:KGd(WO.):晶体生长和光谱特性的研究 涂朝阳李坚富朱昭捷吴柏昌 C-吼):晶体具有许多引人注目的特性,例如,它适用于AIGBAs激光二极管泵 掺TⅢ3+离子的Tm’:KGd C_仉)z 浦,离子间交叉弛豫导致的高效近红外激光输出以及2000hm附近的宽带可调谐性·另外,KGd 是一种优秀的激光基质材料,可以掺杂较高浓度的激活离子而不产生猝灭。本文采用顶部籽晶法从Ic2w仇 助熔剂体系生长出尺寸为50n的T矿:KGd(们.):晶体,测定了晶体的吸收和荧光光谱。其吸收光谱上 ×lO一,o。=5.84X1040.QFl.4×10”;计算得到不同波长振子强度的实验和理论值。 一.实验部分 料,用玛瑙研钵研磨混合均匀后装入由60-.m的铂坩锅内,在高于生长温度500c下恒温1—2天,然后以 50c/天进行缓慢降温,生长结束时,用水处理,分离出晶体,用所得的晶体进行定向,切割出b向籽晶。采 用籽晶法进一步生长大晶体:当原料熔化后,用尝试籽晶法测定熔体的饱和温度,在饱和温度以上约 30℃左右将籽晶下至熔体中,半小时后降至饱和温度,开始以2—30C/d降温,采用顶部耔晶熔盐法生长, 耔晶的转动速率为4-5rIⅫ,生长20天后,将晶体提离液面,然后以500C/h的速率降至室温。 通光面抛成光学面。放置于测量样片架,在室温下分别测量晶体的可见一紫外吸收谱和荧光谱. 仪实现可调连续降温。采用美国Lamada35分光光度计。测量了晶体的吸收谱;采用 Edinbuz‘gh-Instrument F920荧光谱仪在室温下对晶体样品进行了荧光测试研究,光源为Xe灯,采用 595nm的激发光激发,检测器为光电倍增管. 二.结果与讨论 ×2.96ramx3.01任意方向的优质晶体。其三个方向互相垂直,六个通光面抛成光学面,测定了晶体的 ●一●-一●■ 图1.晶体的吸收光谱 185 z。2.64×10“, 2b所示)。根据Judd—Ofen理论…’和TPM方法”’进行计算,我们得到光谱强度参数Q Q。:5 m.oFl.4×10”;计算得到不同波长振子强度的实验和理论值(列于表1)。其均方根差 84×10 值为: r.m.s.=[∑(尸P1一吃。n):/N]”=3.7×IO一。 “r (n 曼 “ r 2 《 ar b 8m苎∞翁eo主L nr 430¨0 糊 盯O m ’口∞ ’2∞ ●∞ 1B∞ ,∞0 420 450 Wavelength(rim) WaveWn口th(nm) 图2a.晶体的荧光光谱 图2b.晶体的荧光光谱 表1.振子强度的实验和理论值 state Excited Wavelength(rim) 才…x10‘

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