Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长的研究.pdfVIP

si衬底上无坑洞3c—SiC的外延生长研究 孙国胜王雷罗木昌朱世荣李晋闽曾—平林兰英 (中国科学院半导体研究所北京912信箱100083) SiC是一种重要的新型宽带隙半导体材料．它具有禁带宽度大，热导率高、饱和电子漂 移速率高及高击穿场强的特点，其电子器件能在si器件受到破坏的极端条件下继续工作 【I，21。由于SiC衬底的限制以及成熟的si器件工艺技术，单晶si衬底SiC的异质外延生 长引起了人们的广泛关注『3．71。 单晶si衬底上SiC的异质外延生长，常用MBE和CVD生长技术。由于MBE生长非常 缓慢，且低温下多为岛状生长．不能满足功率器件的要求．因此国际上多用CVD方法进 行外延生长。大量研究工作表明利用常压CVD(APCVD)在s{衬底上外延生长SiC存在 一些问题．一是厚度的不均匀性较大，二是在表面容易有隆起物形成。由于低压CVD (LPCVD)无二次成核，且生长速率依赖于生长温度，样品表面光滑，因此用LPCVD可 以解决APCVD中存在的问题。另一方面，由于CVD生长温度高．在SiC／Si界面处因衬底 si原子的外扩散而产生坑洞，从而引起界面粗糙度的增加和微结构缺陷的形成【8，9】，这 对SiC外延材料的电学及光学性质产生影响。本工作利用最近设计完成的冷壁式不锈钢超 高真空MBE生长系统．结合MBE和CVD两种生长技术的特点．在2英寸的si(100)和si (iii)衬底上外延生长出了高取向无坑洞的晶态3C—SiC外延材料，获得了制备无坑洞 3C—SiC的最佳工艺条件。 N是SiC材料的有效n一形掺杂剂．未掺杂的SiC外延材料多呈现n一型导电，因此本工 SiC的外延生长采用两步生长法【3】：即si衬底的碳化与SiC的外延生长两步骤。在碳化 之前首先对Si衬底表面进行了除氧，除氧温度为1000。C，时间为10分钟。除氧结束后， 将温度降至室温附近．再通人C2H。(2SCCM)，然后升温进行碳化。实验发现si(i00)和si 80。C (Iii)的最佳碳化温度分别为ii00。C和1000。C，碳化时间为5分钟。生长温度在1100-13 范围内，反应气体为siH‘和C2H。．流量分别为2SCCM和3SCCM。除氧、碳化及生长过程均 在低压下进行，压力为140Torr，以H2作载气，流量为3SLM。 6A)和si 由于SiC(4．3 (5．43A)之间存在约20％的品格 失配．因此通过碳化在si表面形 成SiC缓冲层，有利于SiC的后续 生长f3】。RHEED结果表明si(i00) 衬底是在ii00。C温度下碳化5分 钟后，只有规则的SiC衍射斑点， 没有出现附加的孪晶衍射斑点，这 表明在此条件下获得了单晶SiC缓图1．Si(100)村底碳化5分钟后的SEM像。 冲层。为了比较，图1给出了Si(100) (a)碳化温度为1200。c，(b)碳化温度为ii00。C。 Cb) 衬底在1200。C(a)和Ii00。C 下碳化5分钟后得到的SEM图像。12000C下碳化后，si表面出现了明显的坑洞．而在ii00。C 下则没有出现。坑洞的形成是由于si衬底表面的si原子发生外扩散引起的，si原子的外 扩散主要发生在SiC未完全覆盖的si衬底表面。当si原子扩散出来之后，在原位置上留 下一个坑。本实验中，首先通人C2H。气体，然后升温。c：凡的分解温度大约为750。C．在升 温过程中．C原子能够有效覆盖Si衬底表面，在ii000C下，si原子无明显的外扩散现象。 当温度达到1200。C时，si原子有足够的能量从衬底扩散到表面．与气相中的c原子进一 步发生反应。 对于Si(111)衬底．我们在1000。C 的碳化温度下获得了表面平整，无缺陷 的SiC缓冲层。与Si(i00)衬底相比， si cIii)衬底的碳化温度偏低．这是因 为siC111)面的表面自由能最小所致 [10】。 图2给出了两个在优化条件下获 得的无坑洞样品的界面SEM图像·其中 (a)是SiC／Si(100)样品；(b)是 界面SEM图像。 SiC／Si Ciii)样品，两者的生长温度