约束刻蚀剂层技术用于半导体GaAs抛光整平地研究.pdfVIP

2001年增刊 压电与声光 67 文章编号：1004·2474(2001)SO-0067—03 约束刻蚀剂层技术用于半导体GaAs 抛光整平的研究 黄海苟1，孙建军1，蒋利民1，刘品宽2，孙立宁2，田中群1，田昭武1 摘要：简单介绍了现有的一些抛光技术，着重阐述了一种具有高度距离敏感性的抛光整平技术一一约束刘蚀荆技 术的原理．并利用谊技术以光滑的微圆盘电极Pt作模板，对粗糙的GaAs表面进行抛光平整，获得了表面粗糙度为 3．5Ilia的平整表面，显示了该技术作为一种平面抛光手段的潜力。 关键词：约束刺蚀层技术；抛光整平；表面微细加工 Etchant GaAsSurfaces Confined Polishing byUsing LayerTechnique HUANG Pin．kuan2，SUN Hai-gout,SUNJian-junl，JIANGLi-minI,LIU Li．nin92，TIANZhong．qunl， TIANZhao．wu。 State for ofSolid ofChemandInst XiamenUniv．Xiamen of (i key．LabPhysChemSurfaces，Dept ofPhysChem Robots，HarbinInstitute 5000I．China) ofTechnology,Harbin currentsurface are introducedThe oftheconfinedetehant Abstract：The polishingtechniquebriefly principle layer discussedThe were ona surfaceofGaAs a micro-disk performed technique(CELT)isexperiments rough byusingpolished electrodeaStheelectrochemicalmold．AsurfacewitR of3．5nmwasobtainedItshowsthatthemethodisa roughmess methodlbr surface． promising polishing word：confined microfabrication Key technique；polishing：surfaces etchantlayer 1引言 微细加工技术在复杂三维图形上所面临的共同困难 目前，利用传统的超精切削、超精磨削与研磨等 提出的一种新的加工思路12,31，其基本原理为：利用 加工技术已能制作出纳米级粗糙度的平面，但切削应 电化学或光电化学反应在具有高分辨率的复杂三维 力及研磨正压力的存在极易造成加工器件的形变，限 图形的模板表面产生刻蚀剂，当刻蚀荆向溶液中扩散 制了这些方法的应用范围。其他的特种加工技术，如 时，与溶液中已存在的捕捉剂迅速发生反应，至使刻 电火花加工技术、激光加工技术都可能不同程度地影 蚀剂几乎无法从模