PMW-PT-PNN弛豫铁电陶瓷体系直流偏压特性地研究.pdfVIP

与电致伸缩效应耦合地存在着，总应变可表示为幅1： (1) 其中Q、M分别为与极化强度和电场有关的电致伸缩系数：￡为弱场下的介电常数；P，、 P。为感应和自发极化强度，并且尸=把。 同时由逆压电效应遵循的压电方程： S=dE (2) 由于电致伸缩效应ME2、QP，2两项贡献相对较小，故可忽略不计。从(1)和(2)式可得： d=29妒 (3) 在一定的电场强度范围内，随着直流偏压电场的逐渐增强，感应自发极化强度增大， 根据公式(3)可知，电场诱导的压电性能也就逐渐增强。 图3不同直流偏压下样品的阻抗随频率的变化情况 从幽4中可以看出，试样的厚度机电耦合系数及径向机电耦合系数在lOOV至200V直 流偏压范围内(电场强度约为4、8kV／cm)，随着偏压场的增大也呈现增大的趋势。同时随着 烧结温度的升高，机电耦合系数明显减小，由此可以看出，该压电性能对工艺还是相当敏感 的，如何进一步提高K。、K。值，稳定工艺是以后研究工作的重点。 ．】，掣扛石一七∞oo bu一五暑D∞sa曼oIu— 卫Fj∞，o暑≈，lg 吣㈣㈨㈣峨嘴嘣耋}嘶蚴淌 ∽∽呲㈣峨|耋叫譬|㈣蚴懈 DC bias(Ⅵ 图4不同直流偏压下的机电耦合特性 524 4结论 1．对于0 优于i150。C温度下烧结的样品，即介电常数高、机电耦合系数大。 2．在一定直流偏压电场范围内，随着直流电场的增大，样品的压电性能逐渐增强。 参考文献 L李龙土，弛豫铁电陶瓷研究进展，硅酸盐学报， 1 992，20(5)：476-483 et oflead—based 2．GuiZhilun，Li Suhuaa1，Lowtemperaturesintering Longtu，gao ricceramics．JAmCeramSoc．1989，72(3)：486-491 PiezoeIect 3．林声和，叶至碧，王裕斌， 压电陶瓷，国防工业出版社。