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Ge／Si多层膜的低角x射线衍射研究 王勇，杨宏卫，周卫，张怀若，杨宁 (云南大学材料科学与工程系．云南昆明650091) 摘要：用磁拉溅射生长了5用期的Ge．／Si多屡膜 和GexSi．。单屡膜，用升算机牲制的衍射仪(CuKD 2实验 辐射)测量了x射线衍射曲成，在GeJSi多屡膜衍 射的布喇格衍射峰两侧发现了一乐列次衄衍射峰． 实验所测的Gdsi多层膜和GcxSi．。单层膜样品 在单屡膜样品的低向x射线衍射中也发现了一系列 生长是在中国科学院沈阳科学仪器研制中心生产的 小峰，我们对此现象进行7深八地探讨，并利用带 JGPS00A型超高真空多靶磁控溅射仪中进行的．谈 折射修正的布喇格斯射定律和薄膜光学现皋，时低 仪器系统分为两个真空室：预处理和锻射室．两室 角x射线衍射谱中出现的一系列现象进行了解辟． 之间用趣高真空闸板阔蕊开，磁力传遵杆可以在预 并计算出了Ge／Si多层膜的用期厚度和周期中不同 处理室和潮射室之间传