SiC混合PiN%2fSchottky二极管(MPS)地研究.pdfVIP

张玉明牛新军张义门 (西安电子科技大学微电子所西安710071) 捕要：本文介绍了具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器一混合PiN／$chottky二极管 (MPS)。理论分析了该器件的正向导通、反向阻断和击穿特性．以4H SiC材料为例模拟和优化设计 了器件的外延层掺杂浓度和厚度、肖特基接触和PN结网格宽度、PN结深度和掺杂浓度等主要的 结构参数。成功的制作了以Ni做肖特基金属，拥有玎E终端的4H-SiC MPS二极管，器件的击穿电 电流密度在3．5v时达1000A／cm2。 1引言 减少无源元件尺寸和增加系统的效率是现代功率系统的发展趋势，迫切需要能提高系统工作频 率即具有高速开关特性的梧流器。同时拥有SBD快速和PiN耐高压的器件是最好的选择。这种二 Barrier 极管称作JBS(JunctionSehott姆)或MPSCMerged P-n／Schottky)。将PN结集成在肖特基结构