间苯二胺的电化学与紫外可见薄层光谱电化学研究.pdfVIP

2l世纪电分析化学 间苯二胺的电化学及紫外可见薄层光谱电化学研究 焦奎 吕刚 杨涛 吴俊峰 (青岛科技大学应用化学系，青岛266042) 问苯二胺可以作为伏安酶联免疫分析的底物，对辣根过氧化物酶(HRP)催化过氧化 氢(H20z)氧化间苯二胺(MPD)已有文献报道…。但未见有关于用光谱电化学方法研究间 苯二胺的电化学氧化的报道。本文应用电化学及紫外可见薄层光谱电化学技术研究了间苯 二胺的电化学氧化，求得了间苯二胺的动力学修饰式量电位E”，on等热力学常数。 研究了间苯二胺在金圆盘电极上的循环伏安行为。表明MPD在电极表面形成的聚合物 膜具有电还原活性。分别于金电极和表面覆盖了聚MPD的金电极上做铁氰化钾体系的循环 伏安实验，实验结果表明，后者得到的峰电流小于前者，峰电位差增大，峰电流过最大值 后难以回到基线，这说明了覆盖于金电极上的聚间苯二胺膜为不导电膜，它的存在抑制了 铁氰化钾在金电极表面的还原”1。问苯二胺在SnO。：F膜光透电极上的循环伏安行为与在 金电极上的循环伏安行为有很大的不同．在snOz：F膜光透电极上只有氧化峰而无还原峰， 且氧化峰电位负移到0．7 V左右。间苯二胺在SnOz：F膜光透电极上为电化学不可逆。同 时，随着扫描次数的增加，氧化峰电流急剧降低。图1为在SnO：：F光透薄层光谱电化学 池中控制电位法电解间苯二胺所得的光谱电化学图。290 rim处的最大吸收峰为苯环上n— nm n‘电子跃迁峰，当电位向高电位的方向变化时，体系中氧化态物质的浓度增加，290 处的吸收峰向低能量(长波长)的方向移动。当吸收曲线不再随电位的变化而改变时，断 开电路，间隔5min记录一次体系的紫外可见光谱图，发现290 nm处的吸光度不再变化， 而490 am处的吸光度则逐渐减小，这种行为与生成一种中间体的行为十分相似。本文采 用董绍俊先生等提出的双对数方法对间苯二胺的控制电位氧化的光谱电化学数据进行处 理”1。以图1中290 a nEo 0．2Yto1．4 Fig．2 for V(1,2,3,v4盘6，7，8，虬10,11,n12‘,1、3， ～relationshjp aI vpondvingto、，0．2匕叩Vv,0．4V、,，0．5 蒜‘嚣若‘?；苦芒3“u2：ruIb’ 7 08 09 1 v．1．1 ．v’．v’．v’．0 v．1．2V．1．3V．1．4V…u…“㈣Ill刖圳““…¨¨ou respecrivelyl A．plotoflnlnll／A(E)Jvs．E(i)．F，RT }国家自然科学基金资助项目(NO 兰丛旦全旦皇坌堑些堂堂查叁坚鲨苎叁—— 以求得on=0．41，右边的直线近似与x轴平行，表明电氧化反应伴随有后行的化学反应对 吸光度的变化有影响。吸光度的微分曲线如图2中曲线B，曲线的峰位置为动力学修饰的 V。 式量电极电位(无量纲)，从而可求出E0’-0．766 参考文献 l Chimica Niu(牛淑妍)，KuiJiao(焦奎)．Acta Shuyan Sinica(化学学报)[JI，2000 58(6)：617—621 2 3 Zhu，GuangjinCheng，ShaojunDong．J．Electroc