红外探测器中的异质界面与缺陷的研究.pdfVIP

电于显露学报J。Chin，日托饥Micr∞c．S0c． 19(4)}507～5082000年 ●{{{+}f；}4ilj 红外探测器中的异质界面和缺陷的研究 则安生邵贝羚安生 划 峥王敬 (北京有色奁鼻研究蕙簏分析嚼斌技术研宄所，北京100088) 近年来，在羹蓐、鼍测、制导、璜■、夜梗、探空监视、以及医学诊断等曩■中，SiG电／p每i异质 结舡外舞■■夏舡外蠢平面阵列技术巴量示出重蔓的盛用前景Ⅱ】。为了曩膏了摄翻■的量子效 事。采用了叠屡螭榆的发射极啪．因此，嚣件的性糟与其羹壤梅、界面状况和其中的晶格镰睹有密 切的关熏。奉吏摹用定位横断再试样翻鲁技术时三屡和六晨叠晨结构晦红外探■嚣进行了曩寡， 研究了再霉嚣精构和确定了头陷构特征．瓣夏簟和电予衍射表明，p—si衬赢的表面平■，取向为 边界发生专■．囊分辨电子置t馨(圈1)表明，P+一轧．“Ck¨。／UnSi鼻面和P+龇．—‰．／p一甄 界面不太早直，艟宥起茯，而且界面不明悦，有一十树震不均匀的过矗带．如果按过蠢带的中蛾划 un詹以后，后处理的沮度都没有起过井鼍生长时树鹿舳■度(650℃)，但量，Si¨；G‰“层中 场作甩下，Ge纛子纳扩敢是不均匀的。再膏砖过凌●蒋改建嚣件能带结相的邋糠E壤，健曩来的 突变碡壹囊攀叠棼．这样，器件绚实际性■与接理论豢囊计算的培果发生燕异．因此，遗过改进 生长设鲁翔工艺．摄★s0Ge展的平羹度和鳙小再膏的避囊区，述有可蠢遗一步曩离缸外摄舅鼍 的性簟．对s犯i晨界掘的仔栩分析可以看出．由于上下界两的热历史和应力状态不阿．也将影一 界面的雉构．对=予强／si。。$‰，Si界面来说，慕失鼍蠢达2．1蹦．但是，在光t区Si／Si¨5Gb。／ Si异魔拜西齄·均来藏到^格赣陷和明量的■格畸变．选可蠢墨由于Ge氟子扩徽瑶虞一个过渡 带使它们之—韵虚鸯准界谢的善宣方向上宥一十挂美毋椎，夙丽■和了^带t瞎的生生。熬而， 在光t医舶遗鼍，作为砖孽屡的事矗siO，屡遍簟舶赫面上的《¨E6k。，。／U口si晨是参蠡层．尽 蕾光t嚣遵鼍麓莳瓯““G‰，s／U∞i晨量在摹曩的p-s．村底上生长起来的，担它仍基叠受列■ 酉同时生长构参量量的作用，丽在光慧区一■产生奠瞄．在井鼙生长的初期，这壁■糟的区麓比 较小t薯昔井鼍生长t缺陷区麓▲长▲太，形庶一十倒兰囊形状．在量后劬外簟矗串，壤蘩区壤竞 度达lo嘶m．分析表明，诫处的麓陷主蔓量屡簟荫纛事■．屡请在(111)爵上．事晨曩也为 (111)爵．巷太多歙散事量的摹疰倪为2～4蠡爵向毫．可笕，光t嚣边彝并不墨疆■赫宠叠‘体 绪椅．在工艺上曩防止单晶区和多矗区再面赴生长时不产生壤脯是诬珥赡的，只■麓赣麓区域尽 可麓小．这些缺陷的存在将导致反向蔫电．撼t医的井鼍量绝糠的菲蠡s∞。晨，莽■如。层与 psi村底的界面比较平直，在[100]方向的起伏不超过3十晶面向砸．它的平直度抚于光t区表 因为第一层Sj。sG‰。在菲晶siq层上膻机戚棱，然后，以这些晶校为中心外延生长。由于^麓 之同匪膏近，约5～12nm，生长过程中相互作用，当长到一定程度时，晶粒生长方向发生变化，园 而未长成贯通的柱状晶。一般来说，晶粒越大，晶粒在生长方向越长。继后的U口Si层和Si。。 ‘▲毫■一■毫白糖#拳基金蠢囊疆目．杠准号 。一’r，0，¨?，÷ ? ——7嚣了事—11———～ 辛 ’{|鬻鼍≈