金属基金刚石场发射冷阴极阵列探究.pdfVIP

金属基金刚石场发射冷阴极阵列研究 谢扩‘f 曾葆青季灭仁杨巾海 (电了}：}技大学商能所，成都．610054) PoI ABSTRACT inediamondr{lmswove zedonCu mi(：rowavc ycrysta]1 synlhesi by chemical emi SSion characteriof plasma vnpordeposjtiontechnique．Field StjCS thesediamondcoatudom{Ltcrsandthec|ccLrleal charactcri stits(’fcontacts betweenCuanddiulnondfilm been{nV()S have have a observedsorJcs Ligated．We ofi nreverti resuIts． ng 关键词：FEA，DIAMOND．Cu．Mo 近年柬．真空微电了学的发展令人瞩l=】，主要足因为真空微电了学红1F敏妊示求J微 波器件-I，有广阔的应用|j{『最。而场发射冷明极阵列(FEA)的制备和性能控制足真空微电子 器件研究的笑键之一。 场发射f{fj极是山金桶或半导体制成的报尖锐的钳‘尖，针尖Ih集成门电极环绕，通过一 个介电膜使之’j电。r发射材料咆绝缘。采用Si尖锥的FEA的优点足不需要双向沉积工艺， 竞全聚JI]si器什制造一1：艺，获得组好的性能，但例Sl导热性差，SI尖锥的表面稳定性差， 影响了FEA的性能，人们一直寻找更稳定的材料代替它。 80年代以来．由于化学气相沉彤l金刚百薄膜的突破性进展，使得低成本高质量的金 刚=f=i薄膜制备成为可能，根据金刚石薄膜特有的性质，人们开始将金刚石薄膜应用于场 w fFM 发射阴投，1993 Geis等人通过实验发现N型金刚石在极低的电场强度下(小于IV／ pm)就能获得咆了发射，比之一般逸出功为45eV的金属要获得场发射表面场强至少要求 达到1000V／u m，降低r三个数量级。美因此悟荣罗州立人‘≯与奠斯科晶体研究所，用 金刚石薄膜沉积在Si尖锥发射体表-面，明显地改善．rFEA的性能，电流提高了lo倍。 但有一个讣常罐要的技术问题就足要实现金属’j宽檗带t导体之『Il】的欧姆接触：{I二常 困难．尤其是台阿Ⅱ石薄膜。会刚7i薄膜与金属的接触特性足一个比较复杂的问题，同一 种金属0惨杂金刚彳“尊膜、味掺杂金刚，fi薄膜的接触特性表现不同；不同的金属』j同一 种金刚石薄膜样品的接触特性表现也有区剐，造成这种区别的原因是多方面的。这不仅 与金属本身、酒膜的生K特点育关．还受到金刚石薄膜的表面形态、品粒问界及缺陷等 多种因素的影响““1：金刚石薄膜表面存在非常丰寓的表面态。因为表面态的屏蔽作用， 导致金属／金刚石薄膜之间的$chottkey势垒与金属的功函数几乎无关。在对半导体金刚 石薄膜进行也学性质测量时，一般采用银浆作电极．但对金刚石薄膜电子器件而言，采 用银浆作电极不能满足需要。减小接触电阻的有效办法有： (j)重掺杂，减小势钽宽 度；(2)在接触区形成复含中心。自’人用真空蒸发的方法在热丝CVD方法合成的多晶 钟，获搿了较