低能离子N-%27%2b-注入谷氨酸高产菌D-%2c110-诱变选育的研究.pdfVIP

低能离子N+注入谷氮酸高产菌D。诱变选育研究. 吐尔逊。伊布拉音 张石峰 曾宪资 (新班大学 离子束生物工程中心，乌各木齐830008) 摘要 采用低能离子 『注入Duo.诱变选育谷氮酸高产菌种，改进了发醉生 长曲线，提高了苗种的产玻率，得到了菌种存活率与注入剂量的初步关系、 流加Tneen-60时机与产酸率的密切关系，为进一步的诱变选育试验提供了 有益的今考。 关幼娜 离子注入 瘫犷落VLIE 0 前 言 谷氮酸 (。~氮蓦戊二酸钠，英文缩写GA)，即味精，是目前世界上用t 最大的调味品.尽管蓦因工程技术已开始引用到选育商产菌的研究中，但GA 高产菌的选育研究在该领域中仍未出现重大突碳，主要原因是反复扩大培养 中质粒易失活甚至丢失，基因表达困难。因此采用理化诱变因子进行选育耐 高沮、附高箱的GA菌株仍是最为常用的方法I1].常用的物理诱变方法有W 线，Y射线，x射线，快中子激光，电场，磁场:而化学诱变因子有碱基类、 5-氛尿啥健、烷化剂(亚硝荃孤NTG，甲荃徽酸乙醋DES)等. 由于传统诱变育种技术有一定盲目性，缺乏定向性，筛选工作量大，传 统辐射技术还存在安全问越，而化学诱变剂多为有毒试剂，对人体毒害大。 因此，开发出新的高效育种方法是较为迫切的课压。 离子束应用于生物技术是目前国际公认的拥有自主知识产权的研究成 果。研究表明，离子束作为一种新的诱变源，因其报伤轻、突变率高、突变 讼广，在改良徽生物方面表现出很好的应用效果]1:。 *断口维吾尔自治区自然科学荃金硕目(项目偏号:2000D 乌t木齐重大科技攻关项目(项目偏号:Y0010) _2g 我们将该技术应用于谷氮酸高产菌株的选育，初步试脸表明，反映 OD-Time关系的米氏曲线得到很大改进。初筛菌株产酸率也得到提高，注入 剂量最好的一个初筛菌株比出发菌提高7.5%. 1材料和方法 1.书 材料 出发菌:谷氨酸生产苗Dnu(石河子味精厂提供). 培养荃:斜面、平板培养基，一级种子培养墓.摇瓶发醉培养基，在参 考文献f31的墓础上作了适当调整。 注入材料:『离子。 1.2试吐仪. LD-1000型离子注入机、x270型普通摇床、SK4-3瓦勃式呼吸减压仪， OLYMPUSCH20电子显徽镜、721分光光度计等。 1.3试脸方法 注入方法:将No一级种子种液稀释10倍‘，取。.05m1均匀涂布于玻成 片上，无菌风吹干制成菌膜后进行离子注入。注入能量 15kev，注入剂A为 8X10N7cmz-12X100N/Cm=，注入按脉冲方式进行，每次注入5秒，间隔 55秒。 发醉方法:将注入菌膜洗脱后，在平板培养墓上320C恒沮培养48小 时，斜面培养荃320C恒温扩大培养24小时，上一级种子培养塞摇床发醉 8-10小时，最后摇瓶培养墓摇床发醉48小时(沮度在32C-370C动态控 制，其间流加T*een-60及尿素) 侧试方法:瓦勃式呼吸减压仪测谷氮酸含量;韭林法侧残箱:721分光 光度计 ((590nm)测稀释25倍发醉液OD值，粉密试纸侧PN值。 2结果与分析 2.1注入，种存活率与注入荆.的关系 一翻 将不同注入剂量的菌膜洗脱后在平板培养基上做存活率比较，得存活率 曲线见图1。由图可见，存 活曲线为 “马鞍型”变化: 即小剂t注入时存活率较 高，随剂t增加存活率下 yti. 协. 飞 降，但随剂t的增加存活率 稼 门 有所回升，然后逐渐下降，