晶体硅粒太阳电池硅粒层研究.pdfVIP

晶体硅粒太阳电池的硅粒层研究 陈哲艮金步平刘呜朱正菲 (中国光电技术发展中心杭州310012) 张慧明 f浙江大学杭州310028) 摘要 为降低太阳电池的制造成本，设计r一种新颖的太阳电池～硅粒太阳电池。首先， 必须研静jⅢ具有粒度均匀．大小适宜、排列整齐和光电特性优良的单晶硅粒。为此，已采 用液相外延方法，成功地在劣质单晶硅片上生长出了所需的硅粒层。本文介绍了这种单晶 硅粒的牛长方法，牛长动力学以及所获得的硅粒层的形貌和…些半导体特性。 关键词：硅粒太阳电池．硅粒生}∈、光吸收 0．前言 近年米阳光发lU投4：有j’较大的发展，{同|离大规模的赢用尚有相当太的距离，其原因 ．仍然是晶体娃人阳IU池价格人高‘“。为r降低太阳电池造价，我们在晶体硅太阳电池机理 分析的筚日iir，试图Jill@0种新型的硅太阳电池，其结构如图1所示，我们称之为“硅粒 k阳电池”‘”。 金属栅电极 110膜n扩散层P型硅粒层 ； { I ＼j 杂质隔离层 光反射层 冶金级硅片 底电极 图t 单晶硅粒太阳电池结构 1 sificonsolarcell Fig Schematicdiagramof她grain 由于这种电池是在冶金级硅片所作的衬底上，用液相外廷方法生长一层单晶硅粒作为 活性层，晶粒甚与衬底之间设置杂质隔离层和反光层，并用光刻技术在隔离层和反光层上 刻蚀出“商口”，窗12下讨底裸露部分作为外廷生长单晶粒的晶种，晶粒层的上表面沉积 l曩0膜，兼作抗反射膜。 这种电池采用冶金级硅作衬底，只有硅粒层采用高质量硅材料，因而大幅度地降低， 硅材料成本。活性层由单晶硅粒组成，硅粒对入射阳光进行多次反射和折射．增加，光能 吸收，并延长r光在硅中的光程，增加，光生载流子数量。硅粒的曲折表面又增加，pn结 面积，幽此增jJ口r光牛载流子的收集率，从而增加』，短路电流，改善r红光响应。采用液 楣外延方法牛_长硅粒，使活性层的纯度提高，品格缺陷减少，因而增长r少子寿命。确保 少于扩散{乇咬太于晶粗ft寸。同时．采用液相外廷T_艺较容易获得高效太阳电池所需的pn 结特件。 显然实现硅粒电池的关键是制作排列均匀、太小合适，性能优良的硅粒层，本文介绍 r我们采用液相外适方法在低品位硅衬底上生长单晶硅粒层的一些基础研究结果。 1．液相外延生长单晶硅粒层 硅的液相外廷由BJ 金等溶点较低的金属溶液中，使达到饱和，再让硅衬底与饱和溶液接触，同时逐渐降温． 使硅在溶液中呈过饱和而发专偏析，在衬底上再结晶形成外廷层。 当溶液的冷却速度比较低而且稳定时，外廷层生长速度与冷却速度成正比。其外延层 的厚度d与冷却速度ot和冷却的温度区间△T的关系。r由经验公式表示： d=b△T34·仅‘1尼+c=ba，4+c (1) 式中b、c是常数，t是冷却时间。 当冷却速度较快时，外延层生长速率近似地正比于生长时间。 我们所采用的液相外廷系统如图2所示，它由H2气纯化装置，真空泵、卧式滑动石墨 舟、电阻炉f|I温挖器等组成。对液相外廷来说，外延炉的温度控制很重耍，因此，在系统 中目L置J’自动温度控制器和数亨式稍密温度程序给定器，并配用S型(铂铑10．铂)热电偶， 单点控制精噬町达到小于l‰。 冈2液相外廷系统示意图 Fig．2SchematicofLPE diagramgrowthsystem 牛长硅粒层的实验步骤： 1)沉积氧化物隔离层 反应如下： Si(OCaHs)4—。Si02+2C0t+2CH4t+2C2H6+…… 匣廊物中有少量的高分子化