应力腐蚀位错层次研究.pdfVIP

2， 应力腐蚀的位错层次研究’ 褚武扬 (jL京科技大学材料特理系，北京100083) 摘要任何应力腐蚀(阳极溶解型和氧致开裂型)均以位错发射、运动为先导，疑有当腐蚀过 程促进的局部塑性应变发展到临界条件，局部应力集中等于原子键台力时才导致应力腐蚀徽裂纹 形棱，进而弓i起低应力臆断。不同环境促进位错发射、运动的原因不同。对阳极溶解型应力腐蚀， 钝化筷或脱音垒层引起的附加拉应力协助外加应力促进位错的发射和运动。对氢致开裂型的应力 腐蚀，腐蚀过程进入试样的氢促进位错的发射和运动。 关t锕应力庸蚀裂纹形棱位错发射与运动 }·■ 应力腐蚀的宏观规律、影响因素等已基本弄清，但对于其微观机理仍有争议。本文从位 错引起微裂纹的观点，对应力腐蚀的微观机理加以评述。 应力腐蚀按其机理可分为氢致开裂型和阳极溶解型两类。氢致开裂型的应力腐蚀和内氢 以及在H：中产生的氢致滞后断裂本质相同。对这类氢致开裂(可逆氢脆)机理，仍有很大争 议。已提出的机理主要有；氧压理论：氢降低原子键合力或表面能理论；氢促进局部塑性变 形从而促进断裂的理论[j]。关于阳极溶解型应力腐蚀(如黄铜在氨水，奥氏体不锈钢在沸腾 MgCl：溶液)的机理也一直有争议。早期提出的机理主要有：沿晶界择优溶解；应力引起离子 吸附；应力或蠕变使钝化膜破裂；滑移溶解机理等“]。新提出的机理有：应力集中提高表面原 子的活性‘23；钝化膜阻碍位错发射导致脆断-31；溶解促进局部塑性变形导致应力腐蚀““o。 任何断裂过程均是微裂纹形核、扩展的结果；裂纹形核是关键。通过应力集中使原子键 断开，可以形成微裂纹；过饱和空位聚集形成孔洞；局部阳极溶解可在表面形成点蚀坑，应 力腐蚀中的滑移溶癣理论就认为通过局部溶解使原裂纹连续扩展。尽管对这个观点一直存在 争议啪，但局部溶解能形成点蚀坑，而且它在无裂纹试样的应力腐蚀中起重要作用，这一点是 无可争议的。只有当空位高度过饱和时(如辐照或高温蠕变)才有可能聚集成空洞。除非局 部应力接近原子键合力，否则应力引起的空位过饱和度也不太”]。故一般情况下，室温断裂或 应力腐蚀微裂纹不大可能通过空位聚合而形核。因此，通过原子键断开形成微裂纹应当是最 合理的方式。 力小1～2个数量级。腐蚀溶液中阴离子吸附有可能使表面能或键台力下降，但不可能下降1～ 2个数量级，因而宏观应力集中不足以引起原子键断开而形成微裂纹。但是，位错可能导致很 高的局部应力集中。例如塞积位错群前端的应力是外加应力的n倍(”为塞积位错数)；因此， 当n一100～1000时，位错塞积群前端的直力集中可等于原子键合力，从而导致徽裂纹形核”1。 另一方面，在恒载荷(或恒位移)下裂纹发射位错后就会形成一个无位错区(DFZ)，它是畸 -国家自然辩学基金(No59671042)赍助项目 ～ 变很大的弹性区。o]。计算表明，在原裂纹(发射位错后钝化为尖缺I：1)顶蛸和DFZ中存在两 个应力峰值，髓外加应力强度因子增大，这些应力集中有可能等于原子键合力o“，从而导致 裂纹从原裂纹顶端或在DFZ中形核”…。由此可想象，任何徽裂纹的形棱均和位错发射、运动 及塞积有关，位错发射和运动是微裂纹形核的先决条件， 应力腐蚀断裂是断裂的一个特例。只有弄清空拉时微裂纹形核的位错理论，以及腐蚀环 境介质对位错以及裂绽形核的影响，才能从位错层次弄清应力腐蚀的微观机理。 断裂纹形核的位错层次研究 一般认为，只有当韧性材料的局部塑性(位错发射、增殖和运动)发展到一定程度才导 致徽裂纹(或微空洞)的形核。对于脆性金属材料，则存在争议。Rice首先提出了以裂尖是 否发射位错作为材料韧脆性的判据口“，并以ro／b和脚／y作为衡量材料韧脆性的