InGaN光致发光研究.pdfVIP

InGaN的光致发光研究。 万寿科卢励吾陈廷杰陆大成刘祥林王占国 (中国科学院半导体研究所材料开放实验室，北京，100083) GaN以及GaN为基的lnGaN，AIGaN是高强度APD公司的=级氮循环致冷器，温度范围为4K至室 蓝光、绿光发光二极管和激光器的主要材料。控制半 温。 导体材料中的杂质与缺陷是提高材料质量的途径。光 致发光(PL)方法是研究半导体中杂质与缺陷的最有 效方法之一。 生长GalnN(In。Ga‘一N／a 厚度分别为0．2弘m和2弘fn。测试的样品x值为o．14 (设计值)。 化图，在低温下有8个发光峰分别以A，B，C，D，E，F 为中性施主(N空位)束缚澈子峰(D。，x)，随着温度升 高，激发分解，此峰逐渐消失。B峰(3．391eV)为另一 种中性施主束缚激子峰(可能与氧有关)。c峰(3． 325eV)为另～种中性施主与价带空穴复合发光峰 的发光带． Energy(eV} wav科engt|lfnmj 图1在不同温度下测量lnGaN样品连续PL谱 1 CWPL ofa ofInGaNmea— Fig Spectrasample suredatdifferent temperature 我们建立了一套从红外到紫外的PL测试装置， 它适用于研究许多1I—V族和卜Ⅵ族半导体材料。激 发光源为日本Kimmon公司的H。ca激光器(功率 35mw)。单色仪为法国的H25．样品架有两个，其一可 Z CWPL ofa GaN Fig Spectrumsample 灌液氮，温度范围为77K至室温。另一个采用美国 ·国家自然科学重点基金资助项目r项目批准号 138 l功髓材料增刊+1998‘】0 由发光峰值位置及发光强度变化分析，我们认为 相应的(Ⅳ，x)峰值能量也低。当x盘0．14时，(D。·x) D峰与E峰分别为C峰(D。，h+)的一、二级声子伴线。 GaN中TO声子能量为70meV，与上述能量差72meV 略有差异，可能是由于材料不同或实验误差之故。在 衍射谱估算值x一0．14但其(D。，x)峰值能量为3 低温下，声子线强度正比于泊松分布函数【1]： 。一，芝 远低于300meV)。这有两个可能性，其一是由于In— n! GaN GaN层只有0．缸m，激光穿透过InGaN并进A 式中S为电子与声子耦合强度，n为声子的级数，由于 层，所以测试的PL谱是两层材料的综合效果。另一可 谱线有～定重叠，没有精确计算S值。估计S值为0．能性是实际进人In卅Ga。N的In含量远低于x=0． 25，由它推算二级声子线强度与实验谱线相符合。 14。这问题有待于进一