Mg掺杂GaN光荧光地研究.pdfVIP

Mg掺杂GaN光荧光的研究 杨志坚龙涛童玉珍李非张国义 北京大学物理系人工微结构与介观物理国家重点试验室，北京100871 1．引言 人们从本世纪60年代就已开始研究GaN。但由于G“和蓝宝石之间存在大的晶格及 热应力失配而难于获得高质量的GaN。由于同样的原因，长期以来一直未能获得P型GaN， 直到最近两步生长法的出现。而P型材料的获得是制作大部分GaN器件的基础。目前主要 采用llg掺杂来制作P型GaN。光荧光测量是检验所得Mg掺杂样品光学特性、晶体质量和 生长技术水平的方法之一。本文报道了我们实验室一些最近的结果。 2．实验 找们使用经过改进的低压水平式有机金属化学气相淀积(舯cvD)设备。生长原材 生长之前把c-A1203衬底在有机溶剂中超声清洗。接着用硫酸和磷酸的混合液体在 160C处理5分钟，混合液纯硫酸和纯磷酸的体积比为3：l，然后用去离子水冲洗干净， 真空脱水后装入反应室。样品1：首先在5500C生长GaN缓冲层，厚度大约为25nm。然后 升温到1060C。依次生长：1．41amGaN：1．4岬Si掺杂GoN，Si4H6流量为1．0ml：0．51Jm si掺杂A1GaN，Si‘‰流量为1．0ml／min：0．2pmSi，垤同掺G酬有源层，si‘f{6流量为 1．0 ml／min： ml／min，cp2Mg流量为120ml／min；0．2妒Mg掺杂A1GaN，cp2垤流量为200 m1／min。样品2：首先在5500c生长GaN缓冲层， 0．3灿Mg掺杂GaN，Cp2Mg流量为200 厚度大约为25nm。然后升温到1060‘C，1．2岬Mg掺杂GaN，Cp2Mg流量为200m1／min(20℃)。 所得样品表面光亮，无色透明．生长后的样品在7000C，氮气氛中进行常规退火。然后进行 光荧光测试。 3．结果及讨论 光荧光测试结果如图1所示。曲线1为样品1。实际是一发光二极管(LED)结构。其 峰值波长为401nm．为偏紫蓝色，一般认为№掺杂GaN的PL谱与掺Mg浓度、晶体质量、 meV的能级”】。 能级的跃迁“】。而掺入的si形成在导带底的28 我们的样品的有源区的Mg掺杂水平15(Cp2Mg流量为120ml／min)较制作高度P型 化样品的Mg掺杂水平(cp：垤流量为200ml／min)低“]因此，我们认为该401nm峰为导带 底28meV的能级到价带顶250meV能级间跃迁形成的． 曲线2为样品25。是高度P型化的Mg掺杂样品。对照该两条曲线，我们可{三}看到Si，Mg 共掺杂GaN作有源区的LED样品其光荧光强度较高度P型化的Mg掺杂样品有很大增强。 —3．v—鲁∞co芒 Wavelength(A) 365nⅢ峰为GaN的带边峰，我们认为来自于最初生长的GaN层。532nm峰为深能级峰， 和缺陷有关。 参考文献 1．张国义，刘弘度，王黄e6民，应用基础与工程科学学报，1995，Vo]．3，No．1，卜ll 2．张国义，刘弘度，王舒民，应用基础与1．程科学学报，1995，V01．3，No．4，333—341 SENOHandTakashiMUKAI 3．Shuji NAKAMURA，Masayuki Jpn．．f．如pl，Phys， 1 V01．30(1991)。PP．L1708—171 OFGROUPIIINITRIDES H．EdgarPage268—271 4．PROPEPERTIES 268—271，EditedbyJames 5．W．Gotzeta1，Appl．Phys．Lett．，68，3144(1996)