γ-MnO-%2c2-半导体平带电位地研究.pdfVIP

A104 Y—MnO：半导体平带电位的研究 李永军郭源’夏熙 (新疆大学应Hj化学所830046) 多年来，人们对半导体电极／溶液界面的电子转移现象进行了广泛的研究，无论住理论 上还是实际应用中均取得了很人的突破【““。二氧化锰作为f也池重要的正极材料，人们对它 的化学性质、电化学性质、阴极还原机理进行了深入的研究，但是从其、r导体角度米研究二 氧化锰电极／溶液界面动力学行为在文献中还朱曾报道。 要从、l，导体角度来研究半导体电极／溶液界面，首先必须作山、}导体／溶液界面的能级 剀，这时．平带电位是一个必不可少的参数：同时，平带电何也是联系、r导体本体性质与溶 液性质的桥梁。本文土要研究Y．Mno，的平带电位。 cHl660电化学综合 1m01／IKcl水溶液作为研究体系，_【}j H』不同浓度的【Fe(cN)。】3_一O Kcl溶液进行循环伏安洲试． 删试仪测量循环伏安曲线和Mott—schonky曲线。川0．1mol／1 6V 0—0 Vs 可以确定Y．MnO，电板形成耗尽层的电位区间【3…。从循环伏安幽可以看出住一l vsscE左廿还是有一个弱 scE之间似乎形成耗尽层，但是仔细观察却发现住一0．4一·0．2V 峰出现．这可能是MnO，还原为Mn。、Mn2+的还原峰，此时对丁二一二氧化锰电极来说是否形 成耗尽层，这关系到Mon．schottky方程能否适剧的问题。在以卜测定平带屯位时．选取一0．6一 ov vs．scE，远人r vs．scE这一电位区间，注意到【Fe(cN)。】3_的标准电极电位V=o．109V 锰的还原电位，从电化学的基础知识可知，在存在【Fe(cN)。P时，锰被还原的可能性极小， vsscE这一电位区间内，二氧化锰电极在【Fe(cN)。1^溶液中形成耗 可以认为在．o．6一ov 尽层。 050v vs 0．1mol门KcI溶液中测得平带电位值为．O．970±O vs．SCE。 O 250±O．010V lmol门Kcl溶液中洲得为一1 可见，同一浓度r[Fe(cN)。]．_住不同频率F的平带电位与频率无关，且在误斧范同内- 曲线的斜率是一致的。冈此认为住我们研究的条件F，外加电位基本上作州在、F导体的空间 电荷层上，既能带边缘住所研究的电位范围内不发生移动，符合理想半导体行为”’“。 vs．sHE。其中Eo。；、Eo。；分5；15为导带羊¨价带边缘的能昔。 标度)：Eo。；=．O75ev，Eo。。=．0．35ev vs．sHE【”，我们得出的二氧化锰平带电何值 一般来说，平带电位处丁I导带以上o．1一o．2eV 处r导带以上，说明我们所得的平带电位值是合理的。 实验所得的半带电位值低丁-外加电位值，这也进一步证实了7一MnO!是n·型、r导体·手¨ +联系人 A104 其他化学I．作者所得的结论一致‘”。T．Odenweller【81认为不同的浓度氧化还原物种对平带电 何有一定的影响，浓度增人平带电位正移，我们也得出相似的结论。