GaMnAs合金Raman光谱研究.pdfVIP

第十三届全国光散射学术会议 一 上海 ·2005 GaMnAs合金的Raman光谱研究， 马宝珊，苏付海，王文杰，丁混，李国华，赵建华，邓加军，蒋春萍 (中国科学院半导体研究所.半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083) 近年来，基于同时应用电子的自旋与电荷的半导体自旋电子学得到了迅速发展，GaMnAs合金 就是其中的一个重要的铁磁半导体材料。研究表明，空穴载流子对GaMnAs合金的磁性起着关键的 作用。但在实际实验中要测量它并非轻而易举。通常，人们通过测量样品的霍耳效应来得到载流子 浓度，但由于GaMnAs合金中存在反常霍耳效应，使得利用霍耳效应来测量空穴浓度变得十分困难。 近年来，一些研究小组提出，可以利用GaMnAs合金中的空穴等离子体激元与LO模祸合形成的祸 合模 ((coupledplasmon-LO-phononmodes,CPLP模)来得到合金中的空穴浓度[[1)。据此，我们研究 了不同组分的GaMnAs合金的拉曼光谱。并通过对测量到的CPLP模的分析得到了这些合金中的空 穴浓度。我们还研究了GaMnAs合金中的CPLP模随温度的变化。 GaMnA、合金用固源LT-MBE的方法生长在半绝缘(001)GaAs衬底上，外延层厚度为200nmo Mn组分通过双晶X射线衍射实验测得，为2.6%--9.3%。用超导量子干涉仪对剩磁的温度变化行为 的测量结果表明，所有样品的居里温度都小于LOOK。拉曼光谱由Jobin-YvonT64000型拉曼光谱仪 测量，其光谱分辨率为0.5cm,，激发光源为Spectra-Physics公司的氢离子激光器的514.5nm线， 样品上的功率小于 lOmw。变温测量时样品装在APD-DE202型液氦循环制冷系统中，温度范围为 IOK-300K。实验配置为背散射配置。 图1给出了不同组分的GaMnAs合金的拉曼光谱。在光谱中观察到一个宽的结构。它由两个拉 曼峰组成。位于低频部分的是空穴等离子激元与LO模祸合形成的C?LP模。而位于高频部分的是 耗尽层中的 (ULO模)。可以利用线形拟合的方法将它们分解为两个洛仑兹峰，如图中虚线所示。 叫 翻 ，ULO模的卿 从Mn浓度x=2.6%的292.7cm， 一 减小到x=9.3%的283.9cnm1,这种减小，是由于GaMnAs合 金中类GaAs模随Mn组分的变化。与此同时，CPLP祸合 模的拉曼频移也从。2.6%的289.2cm，红移到x=9.3%的 ︵ ︸ 5 一 u 2693cri。通常认为在P型GaA。中，由于等离子体振荡模 n e . 的阻尼比较大，其CPLP模只有一个过阻尼模。它的频率随 ︶ 招 户 空穴浓度的增加从接近LO模的频率逐步红移到接近TO模 仍 u 的频率。因此我们观察到的CPLP模的红移应该是由于空穴 ︸ a u i 浓度随Mn组分的增加引起的。 我们通过对CPLP模和ULO的相对强度的分析，得到 不同组分的GaMnAs合金的耗尽层厚度。从而可以算得样品 中的空穴浓度。发现空穴浓度从、=2.6%的2