B→0时赝形InGaAs%2fInAlAs异质结自旋分裂研究.pdfVIP

B哼O时赝形InGaAs／InAIAs异质结的自旋分裂研究 桂永胜马智训郑国珍褚君浩 (中国科学院上海技术物理研究所，红外物珲国家重点实验室，上海，200083) 陈建新，李爱珍 (中国科学院上海冶金所，功能材料国家重点实验室．上海，200050) 长期以来，微电子学主要是以研究、控制和应用半导体中载流予的输运特性为内容， 在这里载流子的输运过程仪利用它的荷电性由电场来控制，载流f的自旋状态是不予考虑 的，实际上，利用载流子的自旋性同样也能操纵它的输运过程【1，2,3】。基于这一思想，SDatta 等人提出来了自旋极化场效应管的器件模型，它的上作原理与器件中二维电子气的零磁场 自旋分裂密切相关【4，5】，有关研究结果表明，InoGao。，As，ln。，：AI。艚As异质结构有可麓 用来制各这种器件。 本文将主要研究赝形ImGa，．。As／In。，：AI。As异质结中二维电子气的零磁场自旋分裂， 虽然光学测量是可以用来研究电子的零磁场自旋分裂【6，7】，但是最寅接和有效的办法就 是利用Shubnikov-deHass(SaM)振荡效应来研究这种现象。由于自旋方向不同的电子，具 有相同的振幅和相近的周期，在SdH振荡中会出现拍频现象，利用这些拍频的结点，就可 以获得零磁场下电子的自旋分裂量。 在低温下，简并的半导体中．随着磁场强度的增加，分裂的朗道能级相继穿过费米能 级，引起了样品电阻的突变，就形成了SdH振荡。考虑自旋分裂及能带的非抛物性，如果 认为费米能级日不随磁场强度而变化，并且忽略朗道能级上的散射，纵向磁阻随磁场强度 的变化△p满足F式【8,9，10】． 尸。 高L2占／ sinh(RffFm’／B) ’ 。。 式r”扁为零磁场F的电阳事，R为傅里叶的求和系数，B足z方向磁场强度，丁足样品温度， 是SdH振荡的周期，％是Dingle温度，垆=占／h09，足个与自旋分裂6和凹旋频率。，有关 的量。 图1，样品电阻率随磁场强度的娈化，箭头图2总的自旋分h裂廿i嚣me随V矗∞，的变化，在低 所指的位置为拍频的结点。 场(lT)条件下，利片j线在回归可以外推 零磁场下的自旋分裂。 图1为样品1．6K时的电阻率随磁场强度的变化，图中出现了明显的拍频现象，箭头 所指的位置为拍频的结点。造成拍频现象的原因是SdH振荡中有振幅相同而频率相近的两 组振荡，这两组振荡有两种可能的来源，①势阱中两个不同的能级上的电子，它们的浓度 n；和n：与SdH振荡的周期的关系不同，通过傅里叶变换，我们确认SdH振荡中的拍频现 象是由自旋方向不同的电子引起的。 利用(1)式从SdH振荡中可以估计二维电子气中的白旋分裂，由自旋分裂引起两套 振幅相同丽频率相近的振荡将对SdH振荡的振幅进行调制 A～cos(石y) (2) 当v为半整数时，“斗0，也就是说在SdH振荡中形成了结点。一般认为二维电子 气中总的自旋分裂J满足【1】下式： 占=60十占lhco。+d2(hco。)2+··- (3) 上式中60为零磁场下的自旋分裂，点为线性分裂量，当磁场强度很大时，二次项及其它 高次项的影响很大，丽在低场F，只要考虑(3)式中的右边的前两项就可以。如果 民=0，则A～cosz6t，由于cos确只是一个与磁场强度B无关的常数，此时不可能发 生拍频现象，当坑≠0时，随着磁场强度口的增强，v减小，就引起了振幅A的振荡，最 后一个结点发生在M=O．5，因此。我们就可以根据(5)式计算结点发生时，总的自旋分 裂量万。 图2为总的自旋分裂量占与的hca．关系，在低场范围(1T)进行线性拟合，我们获 得了坑=8．76meV，在这里电子的有效质量取为o．060mo，由SdH振荡的振幅随温度的 变化获得。 在赝形渐变的InGaAs／Ino，：AI㈣As异质结中，白旋向上的电子和自旋向下的的电子存 在零磁场自旋分裂。我们发现SdH振荡中由于存在着俩组振幅相同、频率相近的振荡，形 成了拍频现象，利