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GaAsMMIC多位数字移相器的CAD及其研究
藏永胜徐世晖李辉岑元飞 戚友琴陈效建
南京电子器件研究所,(210016)
MMIC
【摘要】:本文简述了微波数字移相器在相控阵雷达中的重要作用,介绍了GaAs
MMIC多位数字移相器常用的几种
数字移相器中MESFET的作用及工作方式,以及GaAs
电路拓扑;介绍了多位数字移相器的电性能指标:重点介绍了GaAsMMIC多位数字移相器
的设计及其CAD方法.给出了X波段的设计结果和实验结果.
一、引言
众所周知,微波多位数字移相器是现代相控阵雷达系统中收,发(T/R)组件的核心元
件,而采用多芯片组装模块(MCM)的T/R组件,又是相控阵每个阵元中的关键部件,
在相控阵雷达系统中有许多这样的单元.相控阵雷达天线方向图的空问扫描就是依靠改变
各数字移相器的相位实现空间方向图的电控扫描.由此可见微波多位数字移相器在相控阵
雷达系统中的重要作用. 二.
为有效地实现雷达波束的空问电控扫描,对微波多位数字移相器的电性能指标要求很
高.早期的无源相控阵雷达系统中一般采用铁氧体移相器,而有源相控阵中半导体移相器
_艘碾用Fm互极管及相应的电路去实现。如混台微波集成电路(HMIC)和玻璃微波集
成电路(GMIC)的数字移相器等.由于这种电路采用了PIN=极管实现电控数字步进移
相。则需要驱动电流,而且体积较大,重量较重,在许多应用场合均受到限制(如机载,
弹载等).随者科学技术的发展,尤其是GaAsMMIC及相关技术的发展,使得完全可以实
现体积很小,重量很轻和功耗极低及微波性能优异的微波数字移相器.在现代发达国家先
进的相控阵雷达系统中,尤其是要求体积小和功耗低的微波多位数字穆相器一般均采用
GaAsMMIC技术制造.
二、GaAsMMIC数字移相器中MESFET的作用及工作方式
C,aAsMMIC数字移相器有多种电路拓扑,其工作原理与PIN二极管的移相器相似,这
里不再累述,需要指出的是GaAsMMIC数字移相器中MESFET不仅作为开关元件,而且
还作为可控曲两志电路元件参加院化,以选取最佳柏MESFET器件多数.
当移相器工作时MESFET分别工作在导通(ON)态(零栅压或极低的正电压印低于
肖特基势垒内建电压,通常取0.5V)和夹断(OFF)态(深夹断状态即栅电压幅度大于夹
断电压).由于MESFET只工作在开关状态,实际上是作为无源元件使用,因此功耗极低.
实现数字步进移相功能的控制电压对每一位数要视其选取的电路拓扑的不同和控制电压极
性的不同分为直接控制和通过电压变换驱动电路控制或变换为输出为一纽互朴的电压来控
制.对fl位数字移相器有2‘个工作状态,对五位数字移相器而言,共有32个工作状态.
三、GaAs
MMIC数字移相器的常用电路拓扑及电性能指标耍求
GaAs
MMIC数字移相器其电路拓扑根据电性能指标要求及相移量的大小和尺寸等要
求综合考虑来选取,一般有:开关线型、负载线型、高低通滤波器型、反射型、自开关滤
波器型、矢量调制器型等.几种常用的GaAsMMIC数字移相器电路拓扑见图1.考虑到有
许多文献介绍过这些拓扑,这里不再重述.
在进行计算机辅助设计前必须了解多位GaAsMMIC数字移相器的电性能指标以确定
相应的优化目标,~般多位GaAsMMIC数字移相器的电性能指标有:1.工作频率范围;
2相移位数:3.相移精度(均方羞KMS);4
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