VDMOSFETs宽带功率放大器探究.pdfVIP

VDMOSFETs宽带功率放大器研究 祁斌刘英坤王占利 (信息产业部电子13所石家庄179信箱33分箱050051) 蕾要：本文介绍了国产高频功率VDMOS器件的一个实际应用的例子，并研制出实用化的功率放 大器．对国产新型功率器件．VDMOS的性能和推广应用进行了有益的探索。 l前言 近年来．微波与射频领域应用的VDMOS器件的研究在国内取得了快速的发展。与双极型器件 相比．VDMOS器件的优点主要有【1I：漏极电流负温度系数．无热斑、热稳定·眭好{无二次击穿，工 作范围宽；压控器件．功率增益高，输入阻抗大．匹配容易，偏置电路简单．使用方便、灵活；多 子器件，开关速度快．较好的线性性能等。与器件研制的飞速发展相比，国产微波VDMOS的应用 则相对滞后。本文介绍一种用国产VDMOS器件研制的射频功率放大器。 2电摹原毫 ● 该放大器工作频率为225--255MHz．脉冲工作(Pw锄．6ms D=12％)，输入功率lW、输出功 率50W。我们采用两级放大、集总参数匹配电路，如图l所示。 ● F 图1放大器电路原理图 图1中11L信号控制PIN二撮管．使电路处于导通或截止状态。由稳压二极管与偏置电阻提供 mA。 栅偏电压，从而实现单电源供电。其中漏极电压为32V，前级静态电流为50mA，末级为20 3暑件的选择与可靠杖考虑 两级放大器件均采用我所生产的WD0371型VDMOS功率晶体管，其参数如表l所示。可以看 到该型器件输出功率可达100W，降格使用是我们保证可靠性的重要措施之一。另外，前级选择该 -82· 与低三位中的高两位之间存在固有规律．根据这个规律，产生相应的组合逻辑，从而实现粗位和精 位的对齐。 3．3时●№制电摹的设计 开关电容结构．都是在时钟控制下工作，一共有九相时钟。所以，时钟的相位关系十分重要．在高 频工作的情况下更是如此。时钟控制电路的设计时，采用了相应的技术和措施； a)互补时钟产生电路 两相时钟完全对称，上下边缘交叠在中点，称为互补时钟，用它来控制CMOS开关的P管和N 管十分有利．互补时钟产生电路可详见s6年SSC杂志。 b)不交叠时钟的产生电路 不变叠时钟的产生电路虽然不报复杂．但作用大．要求严格。 4妄■螬果 产品主要特性参数： 分辨率：12位 采样频率：10MSPS 微分误差：±1．0LSB$FDR：66dB 12位A／D SFDR设计结果如图6所示 图6 12位A／D无谐波动态范围(SFDR设计结果) 5蛄谱 感谢领导机关的指导和大力支持．感谢电子58所在加工合作过程中所作的大量工作。 一8l一 管的理由如下；1)由于该放大器对带宽和输出功率稳定性的要求，在尽量减小末级输出端失配的前 提下，前级输出端有可能承受较大的失配。2)为获得较高的功率增益和较好的带内增益平坦度，前 级有较大的静态偏置电流和静态功耗。3)热阻相对根小，使前级在较大的温度范围内有稳定的输出 功率。 表l 器件参数 参数 符号 测试条件 典型值 单位 漏源击穿电压 BVDsSIDS=10mA 80 V