CeEu（，2x）O（，2%2bδ）固溶体的高温高压合成和XPS研究.pdfVIP

V01．13，su耐． 箨努拳。。填刊 。研N匹。。§l取压器怒，产品热琅。，H码。瞄 Oct．，1999 CeEu：，02十s固溶体的高温 高压合成及XPS研究★ 车裕禄-李莉萍1苗继鹏1苏文辉“2 (1．吉林大学物理系和元机台成与制备化学开放实验室，长春130023) 5) (2．中国科学院国际材料物理中心，沈阳】100l 摘要在3．4G|3a和840 有固溶体均为萤石结构。XPS测量给出nl离于在固溶体中为+3价；随Bu含量的增加，Ce3d谱上 的926eV娃的光电子峰的强度下降，说明样品中有少量的ce抖产生。讨论了Eu3+和(≯+在固溶 体合成过程中的变价行为。 关键词＆勘。n+s固溶体高温高压合成XPS l引言 近年来人们在对z如基电解质进行了广泛研究的基础上，也对新型Biz03和【=c(^基电解 质进行了合成和物理性质的研究。结果发现，稀上离子虽可以稳定立方或四方z“b，但稀土离 子的掺杂要受zrq晶格尺寸的限制；而BIzOs基电解质只适用于较低的温度。掺杂的＆q是 一个很有希望的电解质材料，吸引了人们的广泛关注。对Cea02不但进行了二价离子ca、sr的 掺杂研究，还进行了稀土Sm、Gd、Y等的掺杂研究“～“。在这些研究中t样品的台成采用的方法 是常压高温陶瓷法、溶胶凝胶法和水热法，而采只l高温高压方法合成ce嘎基电解质材料未见 报道。文献[4，5]曾利用高温高压方法成功地合成了＆＆q+a固溶体。本文利用高温高压方法 合成有nl掺杂的Q02系列电解质．利用XPS方法测量旺和Eu离子的价态。 2实验 后，装A高压组装件内，进行高压高温合成，高压高温合成是在两面顶环带式压机上进行的。首 先缓慢升压达3．4GPa，随后升温至840℃，保压保温30min后，淬火至室温卸压。 利用RigrakuD／max—rA型转靶Xray衍射仪对昕得的粉末样品进行测试，CrK：辐射，测量 LAB 步宽0．05。，采集时间ls。XPS测试采用英国v(j公司的ESCA MKⅡ型多功能光电子能 谱仪。测量真空度为10-7Pa，荷电位校准取cl，=284．6eV。 3结果与讨论 图1为所合成样品的XRD谱网。可见样品基本为单相，属萤石结构．当Eu含量高于0．4 时，有极少量的杂相。 ★国家自然科学基金(批准号19LR04005，资助项目 1 增刊 车裕禄等：CeEu2zq+。固溶体的高温高压合成及XPS研究 众所周知t高温高压可以改变离子的价态”1…。为了研究所合成固溶体中离子的价态，我们 格氧；高结合能(～531．5ev)的光电子峰为吸附氧。吸附氧由两部分贡献：一是来自样品表面 的水、()晚等贡献，另一个是与样品中缺陷有关。研究表明氧缺位量越高．吸附氧的强度越 强口一。当Eu古量增加时，高结合能端的光电子峰强度增加，说明样品中氧缺位增加。 图1样品睡Bl：ft+a的XRD潜图 图2 样品CeEu：川02的O·，内壳层光电子峰 ofthe GeEu 0f n晷l1kXRDpauernssamples2』X+6 Fl母2q，pm州ccⅡ0npeaksthe鼬mples＆Eu2n+a 在实验测得的Eu；。谱上存在两个光电子峰，它们分别对应Eut《，，和Eu屿∥如图3所示。 35eV和～140．5eV 含Eu的化合物的XPS研究表明“j，Fu”离子的d高／z和4画／z分别位于～l Eu“谱图的低结合能端未观察到光电子峰，而且4建一。和4凼n两峰的间距为5．6eV。这说明Eu 离子