C波段非互易、平面型滤波器探究.pdfVIP

C波段非互易、平面型滤波器研究 胡文忠 工作单位：中国西南应用磁学研究所 通信地址：四川绵阳105信箱29分箱自#编：621000 摘要从理论分析人手，对影响MSSY4通带带宽的各种因索进行了计算仿真．做 出～种新的小型．非互易、平面型静磁表面波滤波器．其中，C．,ZE作频率为4．7 GHz，3dB带宽为60Ⅻz，插损《4dB，反向损耗(隔离)_25dB，失谐隔离 ≥4QdB．研究了YTG膜的温度特性，对滤波嚣磁路进行了温度扑睡试验，做出了 0—70℃ GHz，在1 温度稳定的静磁表面波滤波器，其中心工作频率为5．62 dB，失谐隔离-38dtj，反向损耗 内，3dB带宽为51—38Ⅻz，插损为8—9 (隔离)_25dB，最大温漂15Ng-fz，仅有17xl0x14n：,m’(不计接头)． 1、前言 许多微波设备的信号源都怕反射信号的干扰，在信号源后面加接隔离器是常见的技术措 施．这样不仅会增加整机体积，而且会园构造复杂增加故障率．随着技术的不断进步，迫切 褥要傲波电路集成化，而阻碍集成化韵关键，通常是铁氧体器件，特gH是YIG小球滤波器． 我们在研究静磁渡理论酌基础上，开发一种非互易．平面型静磁表面渡(凇sⅣ，滤波器． 它的正向损耗和小球滤波器相当，它的反向损耗(隔离)可与铁氧体隔离器相比，丽体积比 二者中任何一个都小，仅有17x10x14mm’(不计接头)． 2、理论 为了研究影响MSSW逮波器的三分贝工作带宽，首先研究影响带宽的各种因素．通带带 宽受辐射电阻的制约．下面研究各种因素对辐射电阻的影响． 研究如图1中的插图2所示的结构，不考虑磁晶各向异性叫，得羁辐射电阻 R。=R。(A++A一)【1) 其中：、A+=斗。∞R：P等等罢等{2【2M{cp。s+，)2一疋，}】4’ -4k-t ·[21 exp(一2虹1一exp(-4kt) [1+e啾乏虹)]2 ·{(“：s+1)sinh(kd)+bt。。cosh(kd)}2 +(p。：s+2如，kd){(‰s+1)2一心，2} 一如。(H：2一l一心)s矗1ll(2kd)】 m=≮誊鬻掣tar出(k铲t)Akl如l一‰s+ I 2 A，：1+gn(t／d)[1-tanh*(kt)] Ak a／-[a：-tanh(kt)y IN-g-；Hl、№和y分别是张量导磁事的对角分量，非对角分量和旋磁比 如，=1一丫2M盼一1r2H2) №=脚孵一丫2H2) 其中M．H和F分别是炮和磁化强度．内磁场和频率． 自缟了计算机仿真软件Ⅲ，在此冶出图1：2两个例子．9,m 1，2可看出，换能嚣的 宽度和磁膜厚度对／HSSW辐射电阻的影响程度及规律，从而得出控制带宽的方法． 3、MSSW滤波器实验 鸵 ¨ 图1、YIG膜厚对Mssw器件辐射电阻的影响． 即， 7 ． 图2．换能器宽度对MSS’／器件辐射电阻的影响． ， 信号源，测量器件插损、带宽和隔离等指标．其中·L,_-E作频率为4．7 研究了rjG膜的谒魇特性，对滤波器磁路送行了温度补偿，做出了温度稳定的M