Si衬底上生长立方相GaNMOCVD研究.pdfVIP

Si衬底上生长立方相GaN的MOCVD研究 郑联喜杨辉李建斌王玉田徐太鹏孙小玲段丽宏周增圻林耀望 中科院半导体研究所北京100083 撼要 采用Ga^s成核层在si衬底上得到了高质量的立方相GaN层．研究了mcvB生长中的低温成核过程t发现在si (100)衬底上先用原于层外延生长一层低温№成核层能改i抽aI{外延层的质量、抑制六方柜G8N的生长一本文还研究 了成核条件、衬底晶向、和生长条件对外延GaN的影响．并用室温光荧光(PL)和x光双晶衍射来表征外延GaN材料的 结构质跫和光学特性。采用优化的生长条件，在si(100)衬底上得到了室温光荧光半宽(F州)为130聃V、．x地半宽o scan)为70tin的高质量G酬外延层。 一、引言 由于氮化物在可见光范围的应用前景和巨大的市场潜力，使很多研究人员对氮化物材料非常关 注，越来越多的人致力于对氮化物材料的生长及其物理性质的研究。最近几年，氮化物材料在发光 器件的研究上取得了巨大进展，兰光发光管(LEDs)“·2)和兰光激光器(LDs)”1’相继出现，并且激光 器的寿命已达到10，000d、时“j。 但是，这些较大的进展都是在六方相Gain材料上得到的。而所采用的衬底多数是兰宝石或 碳化硅，由于兰宝石村底不导电、且不能解理，碳化硅衬底上通常采用的缓冲层不导电，使得器件 的制备工艺非常复杂，大大增加了器件的成本。而另一方面立方相Grin材料由于较容易掺杂”1、容易 制备绿光器件、容易解理，芷受到越来越多的重视．在立方相氮化物材料的研究中，通常采用的衬 中有使用高达950％Ⅲ的温度，这使得GaAs不太适合于高温生长条件。而采用si衬底能避免这个阃 题。 GaN和si有17％的晶格失配、它们之间的浸润性差，而且在通常氮化物生长中常用的氮化步 骤，容易在其表面形成氮化硅。如果直接在si表面生长GaN，将很难得到高质量纯相的材料。可是 激光器“1’”’。由此本文提出在si衬底上先生长一层低温GaAs成核层、然后再生长GaN外延层的方 法，该GaAs不仅能释放大部分晶格失配、为随后的生长提供立方相晶核，而且由于它非常薄的厚度 使它在高温生长过程中对后面所生长帕外延层的质量没有负影响。 二、实验 所有实验都在常规水平式MCCVD设备中进行，生长压力为0．1个大气压，使用氢气作为载气， NH3为N源，TEGa为金属Gd源。 三、结果与讨论 1．村底晶向的影响 44 是立方与六方‘GaN的混舍物。此外，Si(i 的G州外延层几乎没有黄光发光带。这说明在同样的生长条件下，Si(111)衬底上容易长出六方相的 6aN材料，而采用GaAs成核层后，Si(100)衬底上能生长出纯的立方6aN薄膜。 盆 日 l 鲁 槭 蔷 ’_ 鬯 剖 世 臻 璧 挈 娶 蛰 图1：Si(100)和Si(111)衬底上的 图2：不同生长温度下G洲外延层 GaN外延层的室温光荧光谱。 的室温光荧光谱。 2，生长温度的影响 采用Si(100)衬底，仅仅改变外延G“层的生长温度、保持其它生长条件相同来进行外延生长。 ℃生长立方与六方的混合相，950C基本为全六方相GaN．随着握度的升高，GaN外延层更容易生长为 六方相G“。这和立方与六方的稳态与亚稳态的特性相对应。 3．GoAs成核层的作用 首先对GaAs成核层的条件进行了大量实验，如研究了GaAs成核温度、成核时间、成核速度对外 延层的质量和混相的控制的影响。并通过X光、扫描电镜、和室温光荧光进行分析，发现：颗粒细小 且覆盖均匀的GaAs成核层有利于立方相GeN的外延生长，而颗粒大、覆盖不完全的低温GaAs成核层容 易导致六方相Gag材料的生长：同时若OaAs