P型掺杂PbTe晶体的生长和热电性质研究.pdfVIP

P型掺杂PbTe晶体的生长及热电性质研究-★ 李锝华，许瑞祥，王明华 浙江大学信电系，杭州310027 新明正弘 日本国三重大学教育学部，日本国三重县津市 {裔要：本文介绍了利用区熔法生长P型PbTe晶体(掺Ag或Na)．对生长样品的热电特性进行了测量， 并结合实际数据进行了分析．实验表明．掺Na的PbTe在较高温度(约800K)时，其Seebeck系数最大 为270蚌V／K，而掺Ag样品在室温左右的Seebeck系数遗大，约为280HV／K． 一、引言 随着世界能源供应的日见紧张，各国政府都在致力于新能源的开发。PbTe晶体正是这 样一种应用于发电的热电材料，比如宇宙飞船上的RTG发电机或工作在热端为800K左右 的工业余热发电机【lj。虽然对PbTe的研究始于六十年代，但其在热电变换方面的应用一直 没有取得明显的进展，近年来，曾经有人用粉末压结法生产这种晶体，但结果不太理想， 囡为这种生长方法存在着氧化，掺杂剂升华，以及掺杂剂富集子晶界处，机械强度不足等 缺点【l】。考虑到这些缺点，我们选择了区熔法生长PbTe。N型PbTe材料(掺sb或I)的 研究表明其适合于工作在较高的温度范围(800K)121,但一个完整的热电器件是由P型和 N型材料组成的，有必要对P型PbTe材料的生长及特性进行研究，以找出和N型匹配时 的最佳掺杂及浓度。本文将介绍用区熔法制各P型PbTe，并对掺杂、晶体生睦条件对材料 特性的影响进行了研究。实验表明掺杂剂在生长方向上的分布是比较均匀。掺Nal％样品 的Seebeck系数随着温度的增高而变大，在500℃时达到最大值，为270p．V／K。两种不同 掺银浓度的样品在室温时的Seebeck系数都比较大，并在较大温度范围内数值变化不大，在 高温端(250℃)开始下降。 ． 二、样品制各 我们先用Ag(银)作掺杂剂制备PbTe晶体，具体制各过程如下：首先纯化原料Pb， 虽然我们购买的原料Pb的纯度为五个九(即99．999％)，可以满足实验的要求，但铅一旦拆 封，暴露于空气中，就会产生氧化，所以必需对Pb进行除氧。我们采用了熔融状态下用高 纯度H2还原的方法除氧。还原好Pb后，接着按Pb的量和掺杂浓度计算并称量好Te和Ag， 在高真空下封入前面还原Pb用的石英管中，在1100℃炉中熔融12小时以上急冷得到掺 Ag的PbTe多晶。荐把此多晶在高真空下封入÷12mm的石英玻璃管，进行区熔生长单晶。 生长过程的参数如下：熔区长度2era，熔区最高温度1050℃．熔区移动速度为6mrt汕r。 我们分别制各了含Ag量为I％和0．5％(原子百分数)的PbTe晶体样品．供测试使用。 掺钠晶体的制备较为复杂，主要障碍是钠的纯化。由于钠在空气中极易氧化，我们采 取了真空蒸馏的办法实现对钠的提纯。在高真空的环境下，Na经加热蒸发，通过气路在相 邻的冷凝管中冷凝。掺钠样品的晶体的生长过程和掺Ag的～致。我们制各了含Na盈为I％ ’中日政府间国际科技合作项目． 。本项目为浙江省科委资助项目． n?{％1。矗淬样品，供测试他刚 系数随着温度的升高而变大．在500℃左右达到最大值2709V／K，然后开始缓慢降低．根 矿弦印 其中kn是波耳兹曼常数，易5—ii；■2_J”亨。这说明，随温度的升高，费米能极和价 四、结束语 · 对P型PbTe材料进行了研究，结果表明．掺Na 1％的PbTe在较高的温度下有较大的 温差电动势，而掺Ag的PbTe在室温以上较低的温度下有较高的温差电动势，两者分别适 用于不同的温度范围。另外，材料的机械性能和晶体完整性还需要进一步的改进和研究。 I 样品1(掺】％钠) 样品2(掺1％钠) + l 电阻率Q·crft 4．37×104 4．4×104 【 载流子浓度N／cm3 3．82×1019 3．37×1019 I 迁移率cm2／v