Sol-gel法制备PZT铁电薄膜退火条件研究.pdfVIP

Sol—gel法制备PZT铁电薄膜的退火条件研究 仇萍荪丁爱丽何夕云罗维根 (中国科学院上海硅酸盐研究所，上海，200050) 摘要在Pt／Ti／Si02／Si村底上，用Sol—gel方法制 备PZT(40／60)铁电薄膜，选择不同的后期退火温度 和时间，研究其时薄膜的微结构、铁电性能的影响，建 分层甩胶和预烧结工艺，预烧结温度320c，时间 3rMn。多次重复后，膜厚达到2200A，成膜后在Oz气 立了合适的退火条件。对于厚度2200A的PZT(40／ 60)铁电薄膜，剩余极化强度Pr一19．698pC／cm2，可氛下，用快速光热炉进行后期热处理。退火温度 2。 转向褪化强度AP}32．51lpC／cm 关键词Sol—gel铁电薄膜快速退火极化强度 察薄膜形貌，在PZT薄膜上用真空蒸发工艺沉积巧 1 引 言 0．2mm的Au薄膜作为顶电极，用RT66A标准铁电 试验仪测量薄膜的铁电性能。 锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜由于其独特的铁电性 在微电子领域中其有极大的应用前景，与半导体集 3结果与讨论 成，可制备成各种新型的集成电子器件，如非挥发铁 图1显示了在预烧结温度32012下制备的PZT 电薄膜存储器(FeRAM)等[1叫]。为了使铁电薄膜和 半导体器件集成，要求铁电薄膜制备温度尽可能低， (40／60)铁电薄膜，经不同的温度和时间退火处理后 为此往往先在低温下制备非晶薄膜，再通过j决速热退 火工艺实现薄膜由非晶向结晶相过渡。 随着铁电薄膜技术发展，形成了各种物理和化学 方法制备铁电薄膜，如溅射法(Sputtering)、金属有机 物化学气相沉积法(MOCVD)、金属有机物分解法 (MOD)及溶胶一凝胶法(Sol—gel)法等““]。其中So!一 gel法具有工艺简单、易于调节薄膜组分、能制备大面 积薄膜、成本低等优点，已成为薄膜制备的主要方法 之一。它利用Pb，Zr，”的有机醇盐和溶剂混合成前 驱溶液，采用“Spin--coating”或“Dippiing”方法在衬 底上形成“gel”膜，膜先在低温下预烧，使有机物分 解，再进行后期热退火实现相转变。预烧结温度和后 期热退火条件对制备优质铁电薄膜起了重要作用。在 本文中我们利用Sol—gelSpin工艺制备PZT(40／60) 铁电薄膜，较系统地研究热退火条件肘薄膜微结构及 亩——1}——靠——{r——者 铁电性能的影响，以确定合适的退火条件，制备出具 20f．J 有高度择优取向及良好铁电性能的PZT(40／60)铁 电薄膜。 射图 1 xRDPatternofPZT(40／60)thinfilmaN。 Fig 2实验 nealed PZT前驱溶液选择醋酸铅、异丙醇错、钛酸酊 “)650℃／J 衍射谱，从图中看出，退火温度在50012时，薄膜开始 醋，按zr厂n一40／60的配比，以乙二醇甲醚为溶剂混 合而成，浓度为0．3M。 在单晶si衬底上，热生长一层SiOz膜，再溅射 时，薄膜的取向度下降，这可能是由于在高温下长时 沉积T：和Pt，作为底电投