CMOS无线接收机体系结构研究.pdfVIP

2002 海峡两岸三地无线科技研讨会论文集 上海大学学报( 自然科学版) 第8 卷增刊 2002 年10 月 Research on Architecture s of CMOS Wireless Receiver WU Bin, WANG Wen-qi, DENG Yun School of Communication and Information Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China Abstract: The fast advancement of mobile communication requires RF front-end of wireless receiver to have low power consumption, low cost and good reliability. With the improvement of CMOS technology, it is feasible to implement a RF front-end using CMOS technology, and it may meet these requirements. This paper discusses several receiver architectures suitable for CMOS radio frequency integrated circuits, compares their characteristics, and points out some issues in receiver design. Finally, the trend of the development of CMOS RF front-end of receiver is addressed. Key words: CMOS; RFIC; Wireless receiver architectures CMOS 无线接收机的体系结构研究 吴宾 王文骐 邓贇 上海大学通信与信息工程学院 上海200072 摘要 移动通信的迅速发展 对无线接收机射频前端提出了低功耗 低成本 高可靠性的要求 随着 CMOS 工艺向亚微 米 深亚微米的发展 用 CMOS 工艺实现接收机射频前端已成为可能 本文讨论了适合 CMOS 射频集成电路的各种接收 机体系结构 着重比较了它们的优缺点 指出在设计中要考虑的若干问题 并对其发展趋势进行了探讨 关键词 CMOS 射频集成电路 接收机体系结构 1 引 言 近年来 无线通信发展迅猛 对低成本 低功耗 高可靠性 小体积的收发器需求迅速增加 而单 片集成收发器最能满足这种需求 因此收发器如何实现单片集成已成为目前研究热点 随着 CMOS 工艺 性能的提高 使用低成本的 CMOS 工艺代替以往的 GaAs Bipolar 或 BiCMOS 工艺实现收发器射频前端 已成为可能 TSMC 成熟的0.25 ìm 工艺能提供超过30 GHz 的f T,生产出符合无线设备要求的RF 模块[1] 目前已经出现了一些采用CMOS 工艺实现的射频前端单元电路和收发器[2~4] 这使将来采用 CMOS 工艺 实现整个无线通信产品的单芯片集成成为可能 本文从经典的外差式接收机结构出发 讨论了适合 CMOS 工艺集成的几种接收机结构 着重比较其 优缺点 最后对接收机的发展趋势进行探讨 2 接收机的体系结构 2.1 外差式接收机 传统的接收机大部分都使用外差式接收结构 如图 1 所示 该种接收机在设计时要考虑的主要问题是在镜像抑制与信道选择之间的折衷 由于在频域有用信号 与镜像信号之间的间隔是2f IF 所以选择一个高IF 有利于抑制镜像信号 降低对IR 滤波器的要求 但是 邻近信道干扰信号却保持较高能量 需使用高品质的IF 滤波器 反之 若IF 频率较低 则邻近信道干扰 226 信号能得到很好的抑制 但镜像干扰则较严重 因此 IR 滤波器和 IF 滤波器都需要使用高 Q 值的滤波 器 一般采用SAW 滤波器 图1 外差式接收机 外差式接收机的优点在于具有较高的选择性和灵敏度 但它不适合于实现集成 存在以下缺点 首 先 外差式接收机中使用的高 Q 值元器件 如滤波器 在目前的集成电路工艺条件下很难做到集成