CVD金刚石薄膜生长过程中原位光发射谱研究.pdfVIP

一 一 堑丛鱼丝塑坌煎 !望 CVD金刚石薄膜生长过程中的原位光发射谱研究 廖源常超方容川 陈义良 (中国科学技术大学热．台肥230025) 摘要 利用幂位光发射谱技术对热丝化学气橱沉积(cvB)金刚石薄膜的生 长过程进行了研究。实验表明甲烷浓度对气相基团(如cH，c}I+和H 等)浓度影响很大，但对电子平均温度影响较小。]而反应压力和灯丝 温度对光发射谱的影响研究显示它们对光发射谱的作用不大。空间分 辨的原位光发射谱显示在衬底附近存在着相对浓度较高的原子H， 这 非常有利于金刚石薄膜的生长。虽然化学气相中相对较高的cH和c}I． 有利于金刚石在光滑的硅衬底上成核，但却损害了金刚石薄膜的生 长。 关键词 化学气相沉积 金刚石薄膜 原位光发射谱 金刚石薄膜是一种集优异的力学、热学、光学和电子学于一体的特种功能薄膜材 料，具有广阔的应用的前景，因而引起人们的极大兴趣。低压C”v-D方法制备金刚石薄膜 简单易行．而且可以制备出均匀、大面积的薄膜。但在cVD条件下金刚石为亚稳相生 长，其生长机制仍处于争论之中Ⅲ。对于金刚石薄膜生长过程中各种化学反应基团的作用 及其浓度分布的研究是理解其生长机制的关键。目前对反应基团进行探测的方法较多，如 质谱方法12J、激光诱导荧光光谱13】、红外吸收光谱【4j、紫外吸收光谱唧和光发射谱161等。光 发射谱作为一种非损害性检测手段，可以探测从紫外(190hm)到近红外(1000nm)范围 内的光谱信号，得到报多重要反应基团的信息。 本文利用原位光发射谱系统研究了热丝CvD系统中各种反应条件(压力、甲烷浓 度、热丝温度等)对衬底附近这一重要区域的化学基团浓度的影响，并研究了化学气相基 团在衬底到热丝闯的空间变化情况，进而对CVD金刚石薄膜的生长机制进行探讨。 1理论基础 在等离子体体系中，同种基团的不同发射线墨和昂其强度比』矾正比于其激发速 率常数比b酊’即 ，。，，“．☆。，t目 (1) —堕L—一 21塑±主旦竖±壁堂查叁全煎圭苤 当电子能量小于跃迁能级时，基团不能被激发，此时激发速率常数为零；当电子能量大于 跃迁能级问能量差时，平均电子能量越大，激发速率常数也越大，因此舰，反映了电子 平均温度。我们可以通过厶，％的变化了解电子平均温度的变化情况。 对于两种不同的反应基团x和y’当它们处于相同的激发环境时，其发射谱线的强度 比￡皿可表示为： 7 J，，，，～(k，Ik，)(Ⅳ，／N。) (2) 其中，飓、M为基团浓度。显然，不同基团的光发射谱强度比与它们的浓度比和激发速率 常数比成正比关系。当两光发射谱线的能量接近并近似认为等离子体中基团的碰撞截面相 同时，kJky可看作常数，这样基团的光发射谱强度比就反映了它们的相对浓度。 2实验装置 原位光发射谱的研究是在典型的热丝CVD系统中进行的。反应气源为氢气和甲烷的 混合气体，衬底为镜面抛光的硅片，整个过程衬底温度保持在820℃。光发射谱采集系统 由我们自行设计完成。金刚石薄膜生长过程中的等离子体光发射谱经二维采集系统进入单 色仪，最后由计算机记录。整个测量过程由计算机控制完成。 3结果与讨论 利用以上装置我们研究了金刚石薄膜生长过程中衬底附近的原位光发射谱。测量范 围为250～70嘶m。在CvD金刚石薄膜生长过程中，原子氢对金刚石相的生长起着非常重 要的作用…，它能够稳定表面的矿结构，刻蚀石墨等非金刚石成分，因此相对浓度较低 的原子氢会导致大量非晶碳成分的形成，而∞和ar可能与金刚石相的成核和生长有关 …，因此下面主要讨论了这几种基团与生长条件的关系。 (1)甲烷浓度对光发射谱的影响 图1是不同甲烷浓度下，cH、c时和珥与№发射强度比曲线。从图中我们可以看 出，随着甲烷浓度的增加a岍如、cH+，啦强度比都增加了，这意味着随着甲烷浓度的增 加CH、c一两种基团浓