N2、Ar气氛下快速退火处理硅片获得洁净区与氧沉淀的研究.pdfVIP

中国有色金属学会第六届学术年会论文集 Nz、Ar气氛下快速退火处理硅片获得洁净区和氧沉淀的研究 冯家林垤则斌7肖清华皇周旗钢7 (1有研半导体材料股份有限公司100088) (2北京有色金属研究总院100088) Thermal 摘要：本文使用N2、Ar气体作为快速退火(RapidAnnealing)处理气氛，研究气氛对洁净区和氧 沉淀形成的影响。调查表明在N2、Ar两种气氛下，延长恒温时间都可以降低洁净区厚度、增加氧沉淀密度。 但是与Ar气氛相比，Nz气氛更有利于获得较薄的洁净区和高密度的氧沉淀。另外还发现N2气氛中饶比例对 洁净区的形成有显著影响。02比例超过了2％后，硅片内不会有洁净区和氧沉淀的生成，在也比例低于2％ 时，洁净区厚度和氧沉淀密度不受02比例的影响。基于硅片表面氧化导致自间隙原子的注入和氮化导致空 位注入的基本原理，比较了不同RTA气氛下硅片中空位分布，进而解释了气氛对洁净区和氧沉淀形成的影 响。 1．前言 随着集成电路制造工艺的飞速发展，单晶