硅基GaN外延层微结构HREM研究.pdfVIP

电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc． 17(5)l539～5401998年 539 朱健民 陈 鹏沈 波朱信华 朱滔周舜华 李齐 (南京大学物理系固体微结构物理国家实验室，南京210093) 由于GaN薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研 究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的GaN单晶薄膜，以便有目的地掺杂n一型和p一型。 用价值的硅作为衬底，异质外延GaN薄膜的工作所做较少，这是由于硅衬底与GaN存在有较大 的结果。 实验方法 先沿SiElTO]方向切割，然后进行机械减薄、离子薄化制备而成。电镜观测是在JEOLJEM一 4000EX HREM电镜上完成，加速电压为400kV。 结果与讨论 合，而其中的附加斑点来源于畴界面。在界面处，电子衍射谱显示其多晶化成分较高，而在顶部 处，则单晶成分较高，这表明，在750～800 相为主妇一4．55A)这也与图1c衍射谱相一致。 结论 参考文献 [1]陈鹏，沈波．《第十一届全国半导体会议论文集》．1997年9月．第96页． [2]Gu