高X值CdznTe+PVT生长探究.pdfVIP

PVT生长研究1 高x值CdZnTe 钱永彪桑文斌2王林军史伟民阕嘉华 上海大学嘉定技区无机材辩系，2018ao．上海 摘要：本文尝试采用布里奇曼法生长cd珏n为原材料进行了高植忙=004～o．60)cdt．．z‰n晶体在压力控制下盼物 理气相输运(州)生长研究．探讨了c嘏温度对晶体电学性质的影响．井对岍晶体韵纯度、位错坑密度，纵向 组成分砸以及红外透过率、pL光谙警进行了检测私分析。 关戡哥：高螬cdz￡口e，PVT生长，按搽测器 一、引言 Cdt．J-．n,Te晶体由于其其有优异的光电性质，应用前景十分广阔，近年来越来越受到人们的重 4 格与用作长波长(10 m)红外器件的‰∞do一谢料相匹配，组份x卸2商阻。龇晶体材料适 台于制作高性能Y一射线或ttx-射线探测器，故引起了人们广泛的兴趣。删．50的cdI盈kn晶体是 1．45e、r(近红外)到2．26cv(绿色)可调，故其本身也是一种重要的光电材科，常用于高效太阳能 器件的研究。 目前cd勖Te晶体生长主要采用布里奇曼法Ⅲ、TH