超短脉冲激光对CCD探测器的破坏效应的研究.pdfVIP

第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集 超短脉冲激光对CCD探测器的破坏效应研究 黄绍艳唐本奇 张永生 张勇 肖志刚 王祖军 (西北核技术研究所， 西安市69信箱10分箱，710024) 摘要 本文开展了500fs超短脉冲激光辐照线阵CCD探测器局部的效应实验，实现了两种辐照能量密度下的 硬破坏；并从超短脉冲激光与探测器材料作用的微观机制出发，探讨了超短脉冲激光对CCD探测器的两种破坏机 制，并推导出了相应的阈值能量。 关键词 CCD超短脉冲激光破坏阈值破坏机理 与连续激光相比，脉冲激光具有较高的峰值功率，容易造成CCD器件的硬损伤，硬损伤机理 与脉冲宽度及能量密度大小有关。对于纳秒脉冲激光，脉冲宽度远大于电子和离子的能量交换时 间，以及材料的热传导时间，CCD像元表面的硬损伤主要由激光加热作用和等离子体冲击波作用 引起，而对于亚皮秒超短脉冲激光，情况有所不同。目前激光对CCD探测器辐照效应研究工作 主要集中于连续激光和纳秒量级的脉冲激光，本文开展了500fs超短脉冲激光局部辐照CCD探测 器的效应实验，实现了两种辐照能量密度下的硬破坏，并进行了破坏机理的分析。 1 实验装置 实验选用Szatmari型超短脉冲染料激光器，重复频率可调，脉冲宽度500矗，脉冲能量300Ⅳ， 波长497nm，实验布局如图1所示。在经过可调衰减器和聚焦透镜之前，在激光器工作频率1Hz 的情况下，用激光能量计连续多次监测激光能量，平均能量在2S0l上J，能量不稳定性±5％。为 了和CCD像元的尺寸相配合，使用直径50mm，f／2的石英透镜缩束，在CCD像元前用热敏传真 纸记录光斑尺寸，用30倍读数显微镜测得光束直径约1500m。衰减片为AndoverCorporation的 高精度中性光学滤波片。线阵CCD和驱动电路系统装在带有开孔的铜板盒中，并固定在精密三 维位移台上。输出信号用TDS644B数字示波器记录。 2实验结果 Mirror Mirror 图1实验装置示意图 第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集 首先将入射激光衰减107倍，使CCD基本没有信号输出；当衰减倍率减小为106’8时，CCD 进入线性工作区；当衰减倍率为10 6‘5，对应能量密度为0．451．tJ／cm2时，CCD进入像元饱和状态。 此后随着衰减倍率的减少，观察到和连续激光辐照情况下相同的光饱和串音现象， 有信号电荷 输出的CCD像元数逐渐增多，饱和区域不断扩大。当衰减倍率降低为lO时，对应能量密度为 信号输出，实现了硬损伤。在未加衰减的情况下，对应能量密度为1．42J／cm2，一个脉冲就实现了 损伤，CCD单元输出信号无法辨认。连续在同一位置辐照两个激光脉冲后，CCD没有任何信号 输出，表明完全被破坏。在150倍放大的情况下，清晰可见到两种情形下的CCD上的破坏区域， 分别如图2和3所示。 图2能量密度为0．14J／era2时造成的硬破坏图3能量密度为1．4J／em2时造成的硬破坏 3机理分析 亚皮秒超短脉冲激光的饱和干扰与连续激光和纳秒脉冲激光饱和干扰在机理上是相同的。 在对CCD器件的硬损伤机理上，超短脉冲激光与纳秒脉冲激光有显著的不同。我们首先看一下金 属或等离子体中的几种能量传输时间。金属或固态等离子体中的电子一电子平衡时间约为等离予 体频率的倒数，即 t。～国：～lo以厣 (1) 电子一离子能量传输时间为 M一1 e{ tei2一V me 式中％为电子一离子碰撞频率，M为离子质量，他为电子质量。对于固体金属和介质，％均在 几个皮秒以上111。 根据热扩散方程，电子热传导时间为 ”冬=等 o， 式中r是热扩散系数，‘是固态