集成硅纳米线制造技术与其电学性质研究.pdfVIP

集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究——刘文平宋达李铁等 集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究 刘文平1 宋 达2 李 铁1 李昕欣1 王跃林1 1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海，200050 2．浙江大学，杭州，310027 摘要：采用传统MEMS工艺，利用精巧的结构设计和准确的工艺控制，制作出一种新型的、在芯片上可集 成的、直径可控的硅纳米线，对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论。纳米线的直径达到50nm以下，长度 为3～15t*m，两端固支，底部悬空。电学测试结果表明，硅材料的表面活性很高，由于比表面积的增大，硅纳米线 的电学特性受表面态的影响非常大。新鲜表面的硅纳米线与暴露在空气中一定时间的纳米线的，一y特性有着 明显的不同。 关键词：硅纳米线；微电子机械系统；表面态；光生载流子 中图分类号：TN303 文章编号：1004～132x(2005)S1一0365一03 SiliconNanowiresFabricatedbvMEMS Technology Liu Da2LiTielLiXinxinl Yuelinl Wenpin91Song Wang Instituteof andInformation of 1．Shanghai Microsystem Technology，ChineseAcademy 2．ZhejiangUniversity，Hangzhou，310027 Abstract：Anoveldiameter--controllablesiliconnanowireswasfabricatedtraditionalMEMStechnolo— on—chip by asilicon—On—insulator(SOI)substrate．Theandelectricalcharacteristicsofthenanowirewerestudied gyon aspect J—V thenanowiresthatthefresh hasdifferentbehaviortOthesamesam— anddiscussed．The of sample property implies stateof wiresiSunstableintheair． after24hoursintheair，whichindicatesthatthesurface the pie words：silicon carrier Key nanowire；MEMS；surfacestate；photo--generated 0 引言 作和定位，给大规模集成带来困难。此外硅纳米线的纯度 根据摩尔定律的预测，到2012年，以硅材料为核心的 以及尺度的均匀性在工艺中都无法得到很好的保证。② 当代微电子技术的CMOS逻辑电路图形尺寸将达到“自上而下”(topdown)的方法[1’7“]，也即利用类似于传统 35nm或更小。在这个尺度，器件的工作原理和工艺技术导的集成电路的方法制作硅纳米线。这种方法是在已经准备 致的物理极限以及由此产生的制造成本的大幅度提高都 好的材料层上，通过光刻、刻蚀和沉积等方式，制作出所需 将成为难以克服的问题。在这种背景之下，人们对低维、小 要的图案。这种方法生产效率比较高，制作工艺的精确度 尺度硅材料的研究表现出浓厚的兴趣。