2k+SRAM重离子微束单粒子翻转实验探究.pdfVIP

2kSRAM重离子微束单粒子翻转实验研究 罗尹虹郭红霞陈伟姚志斌张风祁 (西北核技术研究所锹西西安710024) 郭刚 (中国原子能科学研究院物理研究所北京102413) 苏秀娣 陆虹 (中国电子科技集团公司第四十七研究所辽宁沈阳110032) 摘要：2005年1月西北核技术研究所、中国原子能科学研究院物理研究所、中国电子科技集团公司第 四十七研究所三家单位联合协作在国内首次开展了针对2kSRAM的重离子微束单粒子效应研究，取 得了初步的实验结果，实验结果表明：截ILNMOS和PMOS的漏区是SEU的敏感区域，但敏感度不同， 截止NMOS漏区是单粒子翻转最敏感的区域。当存贮状态发生改变时，敏感区域发生改变，但敏感 区基本呈对称结构。SRAM重离子微束实验方法的建立为今后更好的开展此项工作奠定了良好基础。 关键词：SRAM，重离子微束，单粒子翻转，反偏漏区 己I吉 JI目 随着半导体技术的迅猛发展，航天器用半导体器件集成度不断提高，器件的特征尺寸越来越小， 工作电压越来越小，相应地，临界电荷越来越小，单粒子效应越容易发生。在以往的单粒子效应测 试中，利用加速器提供的重离子宽束源辐照集成电路，测量到的器件响应是被辐照的所有电路和PN 结响应的综合效果。这样的测试很难确定单粒子翻转的敏感部位以及不同部位的翻转阂值，从而影 响对翻转机制的更加深刻了解【110器件生产厂家如果希望通过工艺设计及其它技术手段减小单粒子 效应，就必须清楚损伤机制，了解器件的特征尺寸和工作电压的减小带给集成电路单粒子损伤的影 响及其细节。利用束流直径和特征工艺尺寸相当的微米重离子束是最有效的手段之一。该项研究可 以给出器件的布线、尺寸、材料和工艺等参数与重离子产生的单粒子损伤容限的定量关系，从而为 制备高可靠、抗强辐射的集成电路提供重要的“逐点”信息。同时借助计算机对每个设计环节和芯 片辐射前后的电路性能进行模拟分析，可以得到优化的电路特性、设计、布局，而辐射效应模拟计 算的可信性、准确性也可通过微束辐射效应实验加以确认和改进。 进入90年代后，国外用于单粒子效应敏感度评估试验的地面模拟手段主要是使用微束辐射装 置。国外重离子微束单粒子效应在80年代开展了初步研究工作，90年代初得到快速发展，取得重 大成果。英国、日本、德国、澳大利亚等国陆续开展了重离子微束单粒子效应研究。美国的IBM公 司、海军研究实验室、圣地亚实验室等单位，在九十年代中利用计算机仿真模拟和实验手段为研制 抗辐射能力强的电子器件提出了不少的工艺改进措施，大大提高了卫星在轨寿命和可靠性。最近几 BeamInduced 年建立的磁聚焦扫描微束装置，通过IBICC(Ion ChargeCollection)技术，可直接显示电 荷收集区域。因其通过微束扫描系统可以直接显示出翻转灵敏区域，大大提高了单粒子效应的研究 水平t21。 2005年1月西北核技术研究所、中国原子能科学研究院物理研究所、中国电子科技集团公司第四 十七研究所三家单位联合协作在国内首次开展了针对2kSRAM的重离子微束单粒子效应研究，取得 了初步的实验结果，其实验方法的建立为今后更好的开展此项工作奠定了良好的基础。本报告从 CMOSSRAM单粒子翻转机理、实验方案、实验结果与讨论几个方面就SRAM重离子微束单粒子效 应进行了较详细的说明和阐述。 536 1 CMOS SRAM单粒子翻转机理阻41 CMOS SRAM存储单元如图1所示，它由两个反相器构成双稳态电路，存储状态决定于Tl、亿、 ’线w控制。高能带电粒子射入半导体器件，通过与半导体材料相互作用，很快地损失掉能量。带电 粒子所损失的能量，使电子从价带跳到导带上去。于是，在导带中有了电子，在价带中留下空穴， 形成电子空穴对，引入非平衡载流子。无电场时，非平衡载流子将发生扩散、复合，最后消失；有 电场时，非平衡载流子一电子空穴对将分离，并被电极收集，形成瞬态电流。瞬态电流会使节点电 势变化，引起器件逻辑状态翻转。对于CMOSSRAM，截止管漏区反偏PN结空间电荷区构成器