台阶型InGaN量子阱蓝光发光二极管设计与数值模拟.pdfVIP

第38卷 第 11期 激 光 与 红外 Vo1．38，No．11 2008年 11月 LASER ＆ INFRARED November，2008 文章编号：1001-5078(2008)11-1114--04 ·光电材料与器件 · 台阶型InGaN量子阱蓝光发光二极管设计与数值模拟 李为军 ，张 波 ，徐文兰 ，陆 卫 (1．中国科学院上海技术物理研究所红外物理重点实验室，上海200083；2．华东师范大学信息科学技术学院，上海200062) 摘 要：一种特定发光波长(415—425nm)的台阶型InGaN构型量子阱被设计并从理论上进行 考察，包括量子阱区域载流子浓度分布、自发辐射复合速率、Shockley-Read．Hall(SRH)辐射复 合速率以及输出功率和内量子发光效率的分析。与传统的InGaN构型量子阱结构相比，使用 台阶型InGaN构型的量子阱结构，活性区载流子浓度特别是空穴浓度得到明显的改善，输出 功率和内量子效率分别提高了52．5％和52．6％。自发发光强度与传统的InGaN构型量子阱 发光强度相比也有1．54倍的增强。分析结果暗示SRH非辐射复合速率积分强度的减少被认 为是台阶型 InGaN构型量子阱光学性能提升的主要原因。 关键词：Step—likeInGaN量子阱；InGaN；发光二极管；数值模拟 中图分类号：TN312 ．8 文献标识码：A SimulationandDesignofStep-likeInGaNQuantum Well StructureBlueLight-emittingDiode LIWei-jun，ZHANGBo，XUWen．Lan，LUWei (1．NationalI~ oratoryforInfraredPhysics，ShanghmInstituteofTechnicalPhysics，ChineseAcademyofSciences，Shanghai 200083，China；2．DepartmentofElectronicEngneering，EastChinaNormalUniversity，Shanghai200062，China) Abstract：Thestep—likeInGaNquantumwell(Qw)andconventionalInGaNQW ofremissionataparticularwave— lengthregime415～425nm aredesignedandtheoreticallyinvestigated，includingthedistributionofcarriers’concen· tration，radiativerecombinationrate，Shockley—Read-Hall(SRH)recombinationrateaswellasoutputperformance andinternalquantumefficiency．Theoreticalresearchsuggeststhatthestep-likeQW structureofferssignificantim— provementofcarriers’concentrationintheQW，especiallyholeconcentration．Outputperfomranceandinternalquan· rumwellefficiencyshow52．5％nad52．6％enhancementofrstep—likeInGaNQW，respectively，incomparisontothat ofconventionalInGaNQW．Theimprovementinluminescenceintensityofstep—likeInGaNQWWaS