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通信用高速光电探测器的研究开发 曾庆明李献杰乔树允王全树 信息产业部电子第十三研究所专用集成电珞置毫t点实验宝石意庄市050051 摘要本文介绍InGaAsPIN高建光电探测嚣的结构设计、批量生产技术、可靠性保证以及测试技术·井 蛤出了系列产品的圭赛性能． 美■词InGaAs光电探测嚣 I．引言 随着世界范围内高速宽带光纤通信系统的迅猛发展，近年来以高速长波长光电 探测器为主的光接收器件的国内外市场需求在急剧增加。与低光纤损耗的光窗口相对 lam两个波长。InP衬 应，光纤通信市场需求的光电探测器主要集中在1．31“m和1．55 底上以InGaAs为吸收层的PIN结构探测器在此波长范围具有响应度高，波长范围宽、 暗电流小，稳定性好等优点．适当调整材料结构和器件工艺，可以实现从几Mb／s到几 十Gb／s的传输速率，因而广泛应用于各种光纤通信系统．目前国内市场所需的光电探 测器芯片大部分依靠进口；针对这一情况，我们基于现有的GaAs集成电路生产线的先 PIN光电 PIN高速探测器．下面对InG“s 进设备和工艺，研究开发成功了系列InGmAs 探测器的结构设计、批量生产技术、可靠性保证以及澳4试技术等方面的研究工作和产品 性能进行依次介绍。 2．PIN探溯器的结构设计 高速光电探测器的主要性能指标有响应波长、光响应度、暗电流和响应速度等．PIN 光电探测器在长波长方向的截止波长由与InP晶格匹配的InoGaomAs吸收层的禁带宽 度Eg决定，即k=1．24／Eg(ev)[um]，考虑到窗口外延层InP截止波长的限制，因此设 um到i．7um之间。 计的InGaAs的探测器响应光谱范围在0．92 限制PIN高速探测器响应速度的因素主要有四方面，(1)光生载流子通过I层的 渡越时间t、=dlv。d为InGaAs空间电荷区宽度，v。为载流予(主要指空穴)通过空间电 荷区的漂移速度； (2)探测器寄生电容C(包括结电容和延伸电极电容)通过负载电 阻R(一般是50欧姆)的延迟时间RC； (3)光生载流子扩散到高电场区的时间ta； (4)探测器引线和封装的寄生电感和电容。在设计时，应折衷考虑(1)和(2)，因 为减小渡越时间t。，要求减薄I层厚度d，而I层厚度d的减小会导致结电容的增加， 从而增大延迟时间t：；同时在确定吸收层厚度时还应考虑响应速度与光响应度的折衷， 因为I层厚度的减小在提高响应速度的同时，将引起探测器响应度的降低。在I层较薄， 并且忽略延伸电极电容的慵况下，探测器响应度下降3dB的频率f”和响应度的乘积 a BrE：O．45 ‘‘ 传输速率要求． 从入射光耦合方向分，InGaAs高速PIN探测器有正面进光和背面进光两种形式， 前者一￡艺简单且使用较为方便，而后者则可以减小有源区面积提高响应速率：从器件内 邵结构上分，主要有n’衬底上的平面型结构和半绝缘村底上的台面型结构两种，前者工 艺简单．暗电流小，君者可以减小焊接点电容的影响，速度潜力大，但暗电流一般较大． 从与市售的采用透明膜导电材料的肖特基势垒型光电探测器相比，PIN结型光探测器光 响府速度特性和动态范围较前者有一定优势． ·497· 为减小光窗口表面光反射，提商器件的响应度，需要在光窗口淀积增透膜，为此我 们i殳计了双层增透膜，以改善增透特性。 底上依次生长不掺杂InP缓冲层．InGaAs光吸收层和I『lP窗口层，用选择Zn扩散形成 表面圆形P+区，然后在p-区周围形成环形P型欧姆接触电极，并在光窗口淀积双层增透 膜；最后在村底背面形成N型欧姆接触。 3．PIN探测器的批量生产技术 我们利用我所2英寸到3英寸GaAs集成电路研究加工线．以现有的光刻工艺、N 璎欧姆接触和互连金属的蒸发(或溅射)工艺、介质淀积工艺等工艺为基础，进一步研 究开发了zn扩