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稀有金属材料与工程
RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING
金属基底上IBAD．YSZ缓冲层的生长机理
王志，史锴，冯峰，陈欢，韩征和
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85x(2008)s4
用x射线衍射仪(XRD)分析，各样品的面外和面内
1引言
取向。荇种实骑参数列存表I中。
1992年，v
Lijima等人…用离了束辅助沉积
(IBAD)法在止gl构的金届墓底}：制备冉其冉良好的
舣轴织构的钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜，并在上面沉
积了商性能的向温超导YBCO薄膜，同时开辟了第一
代高温超导带材一一滁层导体的制作和研究的领域。
{儿年来．在IBAD制并滁屡导体缓冲层的领域取得
了很大的进展”l。在IBAD形成般轴织构的机理方面+
也有了很多的研究，提出r很多的模型p一“，但至今仍 熊瞧0
没有公认的理论模刑出现。
车文将研究IBAD．YSZ薄膜的取向度随辅助离子
IBAD
束的能量和束流甯度的变化，给卅r有关IBAD薄膜 日l uYSZ薄∞Ⅷ”uⅡig目
生长机埋的信息，井对最常见的选择性溅射模犁”佩 Fig FabTlcmlonofIBAD·YSZfiIm
备向异性的破坏模掣”性行了讨论，
2实验
Tiblel ExperimentalpaF2meters
制备IBAD．YSZ薄膜的工艺过程如图1所不，州 ParameterFixedvalue Range
个溅射离子源笈射Kr离子柬溅射Y-Zr台金靶材，溅AssistingioncⅡcrgy 300eV 50-450eV
2
05mA／cm0l5—08mA／em2
Assistingion…em
射出来的胤于沉积剑Hastelly萆底r，1目时用辅助离
10n
Spu【Iermg energ 500eV
子源笈射的Ar+离予柬轰击革底r正在沉积生长的薄 currenI350mA
Spu“ermgion
4
1 vacuum Pa
Background l×Io
膜。基底选用的是轧制抛光过的Ilastetloy缸样，0
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