三明治结构BTO%2fPVDF复合介电材料的设计及其储能密度.pdfVIP

主题E功能高分子材料 2014年10月12—16日中国·成都 Eo．08 三明治结构BTO／PVDF复合介电材料的设计及其储能密度 胡澎浩1一，沈洋1，南策文1 (1．清华大学材料科学与工程学院，新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京，100084) (2一匕京科技大学化学与生物工程学院，高分子科学与工程系，北京，100083) 高储能密度介质材料是那些材料具有高介电常数、高击穿场强和低介质损耗的电介质材 料，这些材料对于现代电子能源系统，如混合动力汽车、医用起搏器以及脉冲调节器等的发 展具有非常重要的作用。目前基本形成共识的情况是，陶瓷．聚合物基复合材料的介电常数的 提升往往是以介电强度的降低为代价的，使得复合材料储能密度的提升受到限制。但是并非 陶瓷填料一定会降低复合材料的介电强度，相场理论模型【l】和一些实验结果证明了有取向的大 长径比填料若是平行排列在聚合物面内，垂直于电场方向，将有利于缓解基体中电荷的局部 聚集，使得复合材料具有较高的介电强度。 本文设计并制备了一种“三明治结构”薄膜【2]，在上下层中填充较多量的高极化值填料以 提升整体薄膜的极化强度，在中间层填充可以阻隔电荷迁移抑制漏电流的填料以维持较高的 击穿场强，从而在高电场下达到上下层面内半导，面外依然保持绝缘状态。使用常见的具有 结构薄膜的上下层以创造较高的极化值，同时在三明治结构薄膜的中间层填充BTO纳米纤维 (BTO—nf)用以提升击穿场强，使用PVDF作为聚合物基体【3J。 BTO／PVDF三明治结构复合薄膜的储能密度均随着电场强度的提高而增高。由于BTO．np 对三明治结构复合薄膜极化值的提升作用，在同等电场下，外层BTO—np含量更多的薄膜样品 具有较高极化值，因而储能密度更高。不过击穿场强的提升仍然是有决定意义的，在外层 BTO-np含量相同的三明治结构复合薄膜中，内层BTO—nf含量为2v01％的样品因其击穿场强 高于含量为3v01％的样品，所以储能密度普遍能够在更高的电场下达到更大的值。最突出的 2／10样品在接近击穿场强的385kV／mm下可以实现8．46J／cm3的高储能密度，远高于 BTO—nf／PVDF复合薄膜中2v01％纤维含量样品的5．86J／cm3。 进一步调控三明治结构复合薄膜每一层的厚度，能够提升整体材料的介电强度，随着极 化电场的增高，优化后的薄膜的储能密度更是增至9．72J／cm3。相比起工业上普遍使用的BOPP 薄膜，BTO／PVDF三明治结构复合薄膜达到了其储能密度的4倍还多，是很有应用前景的高 储能复合材料。 主题E功能高分子材料 2014年10月12-16日中国·成都 and ofSandwich Design StructuredDielectric EnergyStorageDensity Ceramic／PolymerNanocomposite Hu 1～，SHEN Ce．wenl Penghao Yan91．NAN (1．StateLabofNewCeramics Key andFine ofMaterialsScienceand Processing．Department Engineering，TsinghuaUniversity,Beijing，100084 of Scienceand of and 2．DepartmentPolymer Engineering，SchoolChemistryBiological and ofScience Engineering，UniversityTechnology