双束离子辐照SiC单晶辐照损伤协同效应研究.pdfVIP

双束离子辐照SiC单晶辐照损伤协同效应的研究 王绪 张艳文 刘士毅 赵子强1 北京大学重离子研究所核物理与核技术国家重点实验室 北京 100871 摘要：硅离子和质子双束辐照碳化硅(SiC)单晶材料，通过测量样品的透射率和红外光谱研究双束离子辐照SiC 单晶的协同效应。质子辐照SiC材料使其透射率上升，这主要是氢离子对SiC悬挂键钝化作用所致。Si3+离子辐照会 在SiC中引入缺陷，主要由缺陷形成的光吸收中心导致辐照后的SiC透射率下降，即在损伤层处富集光吸收中心。 氢在SiC材料中是难溶的，其与Si3+辐照产生的缺陷结合，固化了产生缺陷在单晶材料中的运动，使得空位与间隙 原子复合的概率下降。Si3+和H+双束同时辐照相对于先注入Si3+后注入H+的样品引致更多损伤，双束离子辐照有 加重碳化硅辐照损伤的作用。 关键词 双束离子辐照;碳化硅(SiC);紫外可见透射光谱;傅里叶变换红外光谱 照SiC产 生损 伤与H }的，电子能损在这个！ {型，即最上层近乎未 皂晶衬底。我们将结台 歹诀惹 InvestigationofsynergisticeffectsofdualbeamirradiationonSiCsinglecrystal WANG XuZHANG YanwenLIUShiyi ZHAOZiqiang StateKeyLaboratoryofNuclearPhysicsandTechnology,InstituteofHeavyIonPhysics,Peking University,Beijing100871,China AbstractSynergisticeffectsofSi3+andH+dualbeamirradiationonSiCsinglecrystalwereanalyzedbytransmittance spectroscopyandinfraredreflectance.ThetransmittanceofsampleirradiatedbyH+increasedduetohydrogenatomstrapped inthedanglingbondsofSiC.Opticalabsorptioncenters,mostaredefectsintroducedbySi3+ionirradiation,leadtodecrease oftransmittanceandtheyrealmostlocatedinthedamagelayer.AshydrogenisalmostinsolubleinSiC,ithelpstostabilize defectsinducedbySi3+,makingrecombinationofvacanciesandinterstitialatomsdifficult.Moredamagewasintroducedinto SiCwhenSi3+andH+wereimplantedsimultaneouslythanthatofsamplewhichSi3+andH+wereinjectedsuccessively. Keywords:Dual-beamirradiation;Siliconcarbide(SiC);UV-visibletransmittancespectroscopy;Fouriertransforminfrared reflectance