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计划类别： 科技支撑计划--工业部分 指南代码： XXXX ??申报ID号： 项目类别： 江苏省科技计划项目申报书 （参考范本） ( 科技支撑计划--工业部分 ) 项目名称： 120lm/w大功率LED封装技术研发 承担单位： XXXXXXX有限公司 所在地区： 常州市,常州高新技术产业开发区 单位地址： XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX 邮政编码： 213000 项目负责人： XXX 电话： XXXXXXXXX 主管部门： 常州高新技术产业开发区科技局 申报日期： 2010年03月20日 江苏省科学技术厅 二○一○年 一、立项依据 1、本项目国内外科技创新发展概况和最新发展趋势 （１）国内大功率LED封装技术 ??? 国内大功率LED的封装，早在上世纪九十年代就开始，一些有实力的后封装企业如佛山国星，当时就开始开发如“食人鱼”等大功率LED产品，但封装企业投入研发的力度包括人力和财力还很不够，形成国内对封装技术的开发力量薄弱，其封装的技术水平与国外相比还有一部分差距，目前国内包括台湾地区大功率LED封装水平发光效率在70lm/w—90lm/w之间，主要存在色温一致性差、LED CIE空间分布不匀均、带黄圈现象、热阻太高无法提升电流密度等问题。 （２）国外大功率LED封装技术 大功率LED是未来的核心部分，所以世界各大公司投入很大力量，对大功率封装技术进行研究开发，并均已将所得的新结构、新技术等申请各种专利。 德国Osram公司于2003年推出大功率LED产品“Golden Dragon”，其结构特点是热沉与金属直接接触，具有很好散性能。目前Osram最新一代产品为OSTAR系列。 ??? 美国LED大厂Cree于2008年10月发布大功率LED最新产品XLAMP系列其发光效率平均值在90lm/w，Cree近期宣布,其白光LED产品可以实现每瓦131流明的性能,该产品已经通过美国国家标准局(NIST)的测试，其在向美国专利商标局(USPTO)申请的20080272386号专利，内容是使用激光剥削或切削(laserablationorsawing)技术直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋转涂布法将半导体纳米晶体或荧光粉等荧光材料填入凹槽中，在凹槽间形成一个凸面桥，这个方法可以让白光LED变得更小、更容易制造。 2、本项目研究的目的、意义 （１）研究目的 目前国内包括台湾地区大功率LED封装水平发光效率在70lm/w~90lm/w之间，主要存在问题为LED CIE空间分布不匀均，带黄圈现象，热阻太高无法提升电流密度。通过本项目实施使大功率LED的发光效率达到120lm/w以上，减少热阻提升大功率LED电流密度，单颗LED可承受电流达1000m A以上，发光效率超过韩国首尔半导体及台湾地区，达到美国CREE、德国OSRAM同一水平。 （２）研究意义 项目完成后，大功率LED发光效率超过韩国首尔半导体及台湾地区，达到美国CREE、德国OSRAM同一水平，促进我国LED研发向高端技术发展，有力提升LED行业及企业国际竞争力。 3、本项目研究现有起点科技水平及已存在的知识产权情况 目前已完成ＸＸＸＸＸＸＸＸＸ试验，并已申报“XXXXXXXX”发明专利1项；完成了XXXXXX的开发，为下一步开发XXXXXXXXX奠定了基础。 本项目将采用ＸＸＸＸＸ技术，代替原先在支架上加装环氧透镜工艺，提升整体出光效率，超越美国lumiledsr的luxeons产品；对支架中散热铜柱进行散热结构微孔化使相同体积下达到最大散热面积；采用荧光粉喷射打印技术使色温一致性控制在正负200之间，封装技术赶超国际先进水平。 项目经省科技查新表明：ＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸ，国内未见文献报道(见附件:科技查新