GaN+HVPE生长基座优化探究.pdfVIP

第-+-六届全田化奢物半摹体．徽波囊．件和光电量l件学术。争议 投稿分类号；ESA GaN HVPE生长基座优化研究 程红娟徐永宽李强杨丹丹张嵩 (中国电子科技集ltl公司第四}‘六研究所。天津300220) 摘耍：本论文采用计算机模拟技术，研究了氢化物气相外延(HVPE)牛长GaN过程中石墨萆座上的温度分布情况并对基座结构 进行了优化。在怪直HVPE电阳始加热炉内，由r热辐射和热传导及对流的影响，蓝宗石衬底卜温度分布不均匀，进而影响到其 }GaN薄膜的卡成。本次研究模拟J，小I一结构下基鹰I：的温度分布特点．舟选择衬底上温度分布最均匀的结构，对基座结构进 行优化。通过本次研究，扶取了不同HVPE生长环境卜最佳的基座结构设计A案，为HvPE炉体的设计和氮化物生长提出指导性 意见。 关键词： GaN，HVPE，摹座，衬底 中图分类号：035 文献标识码：A 文章编号： The ofSubstrateHolder UsedinGaN HVPE Study OptimiZing Growthingby Li ChengHongjuan，XuYongkuanQiang，YangD觚d锄，ZhangSong (ChinaElectromcs Abstract：Inthis paper．computersimulationisperformedtostudythetemperturefieldofthegraphite bvthem，PEmethod．andthe ofsubstratewas basedonthesimulationreasults．In configuration optimized vertical咖reactor, conduction,radiationandconvectionheat mechanismsareaccounted theheattransfer．TheresultshOWSthatthe exchange for证modeling distributioninthe substrateis willaffectthe ofGaN films．For themost temperture graphite asymmetry,whichgrowthing getting thremal substrate wore and the simulation field，seV盯al by computer homogeneously configurationsinvestigatedoptimized techaology． words：GaN．HVPE，substrate Key holder,substrate EEACC：05lO 面，相关研究和文献还比较少。然而根据公 l 引言 式(2)可知，衬底温度对其上GaN单晶的 III族氮化物如GaN，AIN和InN以及 生成及生长有一定的影响。首先，如果衬底 其合金等由于光学性能优良，被广泛应用于 上温度差较大，往往出现低温区域，此时会 短波发射和高温高功率电子器件，如LED 发生GaN的多晶生长，比如有些GaN外延 和LD掣1’21。然而获得低缺陷密度的高质量片出现边缘为单晶带，但中心为多晶生长的