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隧道结在多结太阳电池中的应用
朱诚张永刚 李爱珍
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海，200050
摘要：目前多结太阳电池器件广泛采用隧道结连接各分电池，隧道结的电学和光学特性对太
阳电池性能的影响相当重要。本文主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工
作，针对GaInP／GaAs双结电池的结构，选择不同的宽禁带材料研究隧道结卜V特性，并且对
其进行必要的优化工作，以增大隧穿电流。研究对于GaAs材料，不同的掺杂浓度对于其卜v
·特性的影响，寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。
关键词：隧道结 隧穿电流 串接太阳电池卜、，特性
tunnel are usedintandemsolar
Abstract：Presentlyjunctionswidely cells．Theelectricaland
of
characteristicstunnel have the
influenceson ofthesolar
optical junctionsgreat efficiency
this
articleanenumeratework
cells．In researchontunnel iscarriedOut
junctions byusing
n model．Severaldifferent materialsarechoseforthe
p junction tunnel
highdoping wide-gap
in tandemsolarceils．The are
1unctions J．Vcharacteristics forthe
GalnP／GaAs optimized
increaseof current．For
differentmaterials，theinfluenceof on
tunneling levelthe卜
doping
V iS
charactenstjcsdiscussed．
solar
junction currenttandemcells卜Vcharacteristics
Keywords：tunneltunneling
出的隧道结模型进行理论计算，研究GaAs隧道结
1引言 的}V特性曲线与掺杂浓度和外加电压的关系，寻
在Esaki等发现高掺杂的p-n结中存在电子隧的要求。
道效应之后，隧道结的研究得到了广泛的开展。从
器件的角度来说，p-n结的隧道特性早期主要是针 2理论分析
对隧道二极管进行研究，
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