900V半超结VDMOS元胞的仿真设计.pdfVIP

900V半超结VDMOS元胞的仿真设计 宁润涛1，杨珏琳2，任敏2，黄锴2，尹杰2，王君龙2，章志海2，李泽宏2，张金平2 (1．中国电子科技集团公司第47研究所，辽宁沈阳，110032； 2．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都，610054) 摘要：超结结构突破了普通VDMOS的“硅限”，获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中，而半超结结 构克服了超结结构耐压要求与工艺难度之间的矛盾。本文提出了半超结元胞和终端的设计思路，并对其主 要的工艺参数和电学特性进行了仿真优化，最终得到击穿电压为967V，比导通电阻为4．95f2·mm2，阈值电 压为2．6V的半超结元胞结构。 关键词：半超结；VDMOS；耐压；比导通电阻 structurebroke the”siliconlimits”of VDMOSandobtaineda through ordinary good Abstract：Superjunction andreversebreakdown betweenforwardconductioncharacteristic voltage．HoweveL compromise the betweenthebreakdownand structureovercomescontradiction voltagetechnology semi-superjunction the terminalstructureis ofthe structure．Themethodof difficultysupeounction design semi—superjunctioncelland were and andelectricalcharacteristicsofthedevice simulated processparameters optimized．A proposed，and 967 resistanceof cellstructureisrealizedwiththebreakdownof V Semi—superjunction voltage specific—on 4．94Q·mm2andthethresholdof2．6V voltage resistance Keyword：Semi··Superjunction；VDMOS；breakdownvoltage；specific·-on 1引言 自20世纪70年代问世以来，功率MOSFET以其优越的电学特性(输入阻抗高、开关速度快、功耗 低等)在许多领域得到了广泛应用…。然而，由于功率MOSFET是多子器件，要获得高的耐压就需要厚的 漂移区和低的漂移区掺杂浓度，由此会使导通电阻增大从而导致较高的通态损耗。20世纪90年代，超结 时获得低通态功耗和高阻断电压。但是超结VDMOS具有两个显著的缺点：体二极管反向恢复特性差和制 造工艺难度大。Saito MOSFET)解决了超 W等人[5】在2005年提出的半超结MOSFET(Semi—Superjunction 结MOSFET所面临的难题。半超结结构是在传统超结结构中的漂移层增加一个n型区，称之为