二氧化锡气敏元件制备及其气敏机理的研究.pdfVIP

二氧化锡气敏元件制备及气敏机理研究 中国科学院长春应用化学研究所130022 王岚何敬文刘雅言王秀艳丁金英殷文春曾雄辉 摘要：介绍了以Sn02为主，填加A1203，MgO，haO，Pd等填料的常温CO气敏元件的制备方 法．根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨．论述了传感器的信息传感机制，即晶界势 垒控制和晶粒大小控制机制同时存在．为获得性能良好的气敏元件，需要最佳的制各方法 和最好的填料． 关键词：二氧化锡气敏特性晶体结构吸附机理 ／^ 引言 sno是氧化物半导体敏感材料中应用最多，最广泛的一种，可用于光敏、气敏1和压 敏传感器．因此倍受重视．本研究工作采用SnO：为主材料，填加A120：，Mgo，InO，Pd等， 制成气敏元件，利用其电阻值的变化，实现对CO气体的检测．SnO：晶体是金红石结构，具 有正方晶系对称，其晶胞为体心正交平行六面体，体心和顶角由锡离子占据．由于结构特点 和化学配比决定了其性能特点．本工作采用掺入适量的Pd与Pt元素，获得在不需要高温 清洗的情况下，达到在常温下检测低浓度CO气体的目地．并且此元件具有较好的选择性 和稳定性．已获得在煤气报警上的应用效果． 制各工艺 常温CO气敏元件是将SnO，和添加剂充分混合研磨后，用去离子水调成糊状，涂敷 在预先烧制的Pt丝线圈上，制成微珠式元件．将元件在空气中于750℃烧结2h，再将元件 焊接在气敏座上，电老化48h，测试气敏特性．元件的测试是采用元件与取样电阻R (50-d00)串联后，施以6．OV直流电压．通过电阻两端的电压测量便反应出元件电导值 的变化．颡9试采用电脑测试． 实验结果与讨论 通过测试获得元件的气敏性能，在501000ppm的CO气氛中其电导值均呈现为等幅 振荡波形，不同于加热型元件．在低浓度范围内其电导振荡幅度与CO浓度间为线性关系， 以及对 图I．在不同CO浓度中气敏元件的灵敏度曲线 圈2．sn02气敏元件的选择性 different F．g．1 sensorin SeiectjvityofSnO,$crksor SensitivityCurveofSn02 Fig．2 concentration ofCO atmosphere 105 由于选作气体传感器材料的SaO：是多晶结构，制备的元件在空气中，气敏元件电阻增 加；在有还原性气体CO时，气敏元件的电阻降低而电导会明显增大：说明在Snq表面及 晶粒处发生反应，即元件在空气中氧气靠电子亲和力俘获来自半导体材料中的电子，吸附 在SnO，表面，相应的在晶粒中出现电子耗尽现象，晶粒表面由于失去电子而带正电荷，氧 吸附电子得到O：+ne—O，．n使N型半导体材料表面空间电荷层区域的传导电子减少，使 表面电导降低，从而使器件处于高阻状态；而一旦器件接触还原性气体，SnO，表面产生反 应将释放出电子回到晶体中，O“|d+C0一C02+ne，表面电导增加，电阻减少，使电子更易流 动：如此原来的吸附气体与半导体材料之间的电子周期性交换，就完成了传感器的信息传 递2．有人从量子化学计算结果3认为元件的吸附方式CO沿晶胞C’2轴吸附，并且CO与 Pd—Sn0，的轨道作用为非键的，即C0-Snoz的吸附为物理吸附，其吸附作用前后掺杂元素 的挣电荷及轨道电荷分布看出Pd为富电子，其作用主要是通过5S和5P轨道为气敏的 电子输运过程提供或接收载流子，即提供了电子的输运通道，。而Pd的d电子没有参加这 一过程．晶胞六面体八个顶点的Sn不参与电子的输运过程．考滤到结构的对称性掺杂的 阳离子取代位于晶胞中心的Sn，由于Pd等元素的离子能以异价类质同象方式置换Sn02 中的S矿．形成类质同象混入物，不同的阳离子取代晶胞中Sn|+后使整个晶胞结构不变4． 同时试验中发现SnO，多晶材料的超微粒即晶粒为几到几十埃的其灵敏度比常规的 多晶高很多，说明吸附反应不仅发生在晶粒表面，同时发生在晶界处