基于体硅外延工艺600V浮栅驱动芯片.pdfVIP

2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 基于体硅外延工艺的600V浮栅驱动芯片 陈健D2’祝靖D张允武D孙伟锋D’顾力晖3’张森3’ 1)(东南大学，电子科学与工程学院，南京，210096) 2)(无锡芯朋微电子股份有限公司，无锡，214000) 3)(无锡华润上华半导体有限公司，无锡，214000) 摘要：本文基于600V体硅外延BCD工艺，完成了一款浮栅驱动芯片的设计。为了增强隔离结构的可靠 性，本文提出了一种新型的P型阱、N型阱交替排列的隔离结构，该隔离结构耐压为740V，相对于传统结构增 加了7％，当LDMOS漏端电位大于lv，且漏端与高侧电压差为15V时的漏电远小于l心，满足芯片应用要求。 此外，为了增强浮栅驱动电路的抗噪性能，提出了一种新型的抗dV／dt噪声电路，相比于使用滤波宽度为70ns 滤波电路的传统栅驱动芯片，抗dV／dt噪声能力从约30V／ns提升至70V／ns以上。 关键词：浮栅驱动，体硅，隔离，抗噪声 十E-mai l：璺堡￡兰!Qg堕兰旦婪：皇鱼旦：堡垒电话 1 引言 驱动、平板显示、照明镇流器及电源等功率驱动系统中获得了广泛的应用Ll刮。目前，针对浮栅驱动电路 的研究主要集中在工艺可靠性及芯片抗噪声能力等方面【引。 在工艺可靠性方面，高低压隔离结构作为浮栅驱动芯片中最关键的器件单元，其性能好坏直接影响 芯片的工作能力。为了提高隔离结构的可靠性，既需要提升隔离结构的击穿电压，还需要保证较低的漏 电，目前关于此类的研究较少。在抗噪电路设计中，通常的解决方案是在电平移位电路之后增加滤波电 路，但是该方法并不能很好地消除高dV／dt噪声【6‘7J；另外一种常用方法是在电平移位电路后加入结构复 杂的共模噪声滤除电路，但对工艺及版图提出了更为苛刻的要求，且给系统引入了较大的额外功耗瞵母J。 本文提出了一种新型P型阱、N型阱交替排列的隔离结构，既能保证较低的漏电，又能获得更高的 击穿电压。本文通过详细分析dV／dt噪声的形成过程及其在高端驱动电路的行为特征，提出了一种具有 高抗噪声干扰能力的新型噪声滤除电路，该电路结构简单、易于实现。该滤波电路采由数字逻辑模块构 成，在提高dV／dt抗噪性能的同时，未带来额外的系统功耗。 2 BCD工艺及高压器件结构 了5VCMOS器件、25V 所示的碰撞电离分布图。 156 2013年全国博上生学术论坛一电子薄膜与集成器件 3 新型P型阱、N型阱交替排列隔离结构 本文所设计的高压n．LDMOS器件集成在高低压隔离结构中，高低压隔离结构将芯片的高侧电路与 低侧电路分开，高侧电路的工作电平为浮动电平，最高能到600V。图3a所示的为传统的集成了高压 条件，击穿电压降低。图3b所示的是本文提出的新型P型、N型阱交替排列隔离结构，该结构的P．well 图，从图中可以看出，在相同的电压条件(170V)下，新型P型、N型阱交替排列隔离结构的表面电场 远低于传统结构。图5a所示的是新型隔离结构的击穿电压测试结果，可以看出，在漂移区长度为67微 于传统结构的击穿电压增加了7％。图5b所示的是新型隔离结构高侧到LDMOS漏端之间的漏电测试曲 远低于l微安。 2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 4新型抗dV／dt噪声电路 高边半桥浮栅驱动电路的结构如图6所示。该结构主要包含模块：窄脉冲产生电路、高压电平移位 电路、脉冲还原电路及栅极驱动电路。脉冲产生电路的主要功能是产生与输入信号Vi。的上升沿和下降 158 2013年令【蚓博i：牛学术论坛…I乜f薄膜与集成器什 边供电电压VB正常时，高压电平移位电路在两路窄脉冲V。。和Vd。。。的作用下实现了控制信号由低压区 至高压区的传递：脉冲还原电路‘般包括脉冲滤波电路、触发器单元及相关的保护模块，它的功能主要 是避免外界噪声信号的1二扰，成功实现窄脉冲到原输入宽脉冲的转变。 D