基于雪崩晶体管激光二极管驱动电路设计.pdfVIP

基于雪崩晶体管的激光二极管驱动电路设计 卢元达 复旦大学电光源研究所，上海200433 摘要：脉冲方式工作的半导体激光器在脉冲功率领域有着广泛的应用前景。本文中介绍了一种以雪崩晶体管为脉 冲电流开关的激光二极管驱动电路，详细阐述了雪崩晶体管的工作原理和电路的仿真设计。 关键词：脉冲功率；激光二极管；雪崩三极管；电路仿真 ⅡLED技术与应用案例_ 图1(b)曲线中的转折点对应于阈值电流，该阈值 当U。。继续增加，并且基极接有偏置电压时，雪 是自发辐射和受激辐射(激光)产生的分界点，也是从 崩击穿出现负阻效应，雪崩击穿开始，u。、BucEo之间 发光二极管状态到激光二极管工作的过渡点。一旦激 的电压范围被认为雪崩工作区。 光开始，曲线斜率就变陡。在转折点上，激光器内部 图2中：BucE0是基极开路时，集电极～发射极之 的增益等于损耗，开始产生激光【2】。 间的击穿电压；BUcs。是基极一射级之间接有偏置电阻 时，集电极一基极之间的击穿电压；BU。朋是基极一射 3．■崩晶体管的工作原理 级之间接有电阻时，集电极一基极之间的击穿电压； 当晶体管的集电极和发射极之间被加上高于其耐 BU淄是基极一射级短路时，集电极一发射极间击穿电 压值数倍的电压，集电极的载流子被电场加速获得较 压；BU。麟是基极一射级反向偏置时，集电极一发射极 大的能量，与半导体材料内部的晶格发生碰撞产生电 间击穿电压。这些量满足以下关系： 子、空穴对，这些电子、空穴对在电场中又被加速与 (3) 晶格发生碰撞，进而产生新的电子、空穴对，依次类推， 在雪崩工作区内，共基极电流增益Ot被乘以雪崩 集电极的电流就会像“雪崩”一样成倍增长。这被称 倍增因子M，此时晶体管的截止频率有显著提高，其 作晶体管的雪崩效应，具有明显雪崩效应的晶体管， 导通速度达到纳秒级，通过改变电路中负载电阻以及 称为雪崩晶体管。 储能电容的取值可以得到需要的脉冲宽度与输出幅度。 设雪崩效应发生后晶体管的共基极电流增益为 Ot堆，则有Ot半=MOt，M为雪崩倍增因子，Ot为晶体管4．激光二极管脉冲驱动电源电路设计及仿真 原有(未发生雪崩击穿时)的共基极电流增益。倍增因 4．1电路总体方案 子可以用下式求得： 激光二极管发射的光脉冲是由激光电源产生的电 脉冲直接调制得到的，其驱动电路的主体结构主要包 膨=[1_(配／占‰)”]-l (1) 括控制信号发生电路，负责供电的电源电路，驱动激 式中Uc是外加电压，BUc。o是发射极开路是集电光器的功率放大电路和起稳定保护作用的外围控制电 极一基极反向击穿电压，n是与晶体管材料有关的密勒 路产生大电流窄脉宽的激光器驱动电路，其具体性能 指数，通常硅材料为3—4。 指标为：脉冲电流大于50A，脉冲上升时间小于10 同理，设B奉为晶体管雪崩后的共射极电流增益，